摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 引言 | 第9-31页 |
·半导体工业的发展及硅材料的地位 | 第9-10页 |
·硅基半导体材料的发展 | 第10-17页 |
·固体材料的分类 | 第10-11页 |
·半导体材料的能带结构 | 第11-12页 |
·半导体材料的性质 | 第12-13页 |
·硅材料的发展 | 第13-14页 |
·硅基发光材料的发光机制 | 第14-17页 |
·Si 和 Si 基化合物的性能及应用 | 第17-29页 |
·硅材料性能简介 | 第17-19页 |
·SiO_2材料特性简介 | 第19-20页 |
·SiN_x材料特性简介 | 第20页 |
·Si、SiO_2 及SiN_x 光伏材料的应用 | 第20-24页 |
·Si、SiO_2和 SiN_x集成电子器件的应用 | 第24-29页 |
·硅基半导体材料研究现状及本课题的研究意义 | 第29-31页 |
第二章 材料制备与测试方法 | 第31-41页 |
·半导体材料的制备方法 | 第31-34页 |
·磁控溅射镀膜法 | 第31-32页 |
·分子束外延镀膜法 | 第32页 |
·脉冲激光沉积 | 第32页 |
·化学气相沉积 | 第32-34页 |
·溶胶——凝胶法 | 第34页 |
·硅材料制备 | 第34-35页 |
·多晶硅制备 | 第34-35页 |
·单晶硅制备 | 第35页 |
·SiO_2制备 | 第35-36页 |
·热氧化制备SiO_2 | 第35页 |
·化学气相沉积二氧化硅 | 第35-36页 |
·SiN_x制备 | 第36页 |
·半导体的检测方法 | 第36-41页 |
·光致发光与光致发光激发谱 | 第37页 |
·红外吸收光谱 | 第37-38页 |
·拉曼散射光谱 | 第38-39页 |
·X 射线光电子能谱 | 第39页 |
·扫描电子显微镜 | 第39-41页 |
第三章 Si/SiO_2、Si/SiN_x/SiO_2及 Si/SiN_x/SiO_2/SiN_x超晶格能带结构 | 第41-60页 |
·Si/SiO_2超晶格系统 | 第41-47页 |
·Si/SiO_2超晶格模型建立 | 第41-42页 |
·Si/SiO_2超晶格模型计算 | 第42-44页 |
·Si/SiO_2与 Si/SiN_x超晶格模型结果与分析 | 第44-47页 |
·Si/SiN_x/SiO_2超晶格膜系统 | 第47-53页 |
·Si/SiN_x/SiO_2超晶格膜模型建立 | 第47-48页 |
·Si/SiN_x/SiO_2超晶格膜模型计算 | 第48-50页 |
·Si/SiN_x/SiO_2超晶格膜模型结果与分析 | 第50-52页 |
·Si/SiO_2 与Si/SiN_x超晶格膜模型有效质量计算 | 第52-53页 |
·Si/SiN_x/SiO_2/SiN_x超晶格模型 | 第53-58页 |
·Si/SiN_x/SiO_2/SiN_x超晶格模型建立 | 第53-54页 |
·Si/SiN_x/SiO_2/SiN_x超晶格模型计算 | 第54-57页 |
·Si/SiN_x/SiO_2/SiN_x超晶格模型计算结果与分析 | 第57-58页 |
·小结 | 第58-60页 |
第四章 退火处理SiO_2薄膜发光性质研究 | 第60-67页 |
·实验 | 第60页 |
·结果分析与讨论 | 第60-66页 |
·小结 | 第66-67页 |
第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
在校期间的科研成果 | 第75页 |