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硅基化合物材料的发光特性研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 引言第9-31页
   ·半导体工业的发展及硅材料的地位第9-10页
   ·硅基半导体材料的发展第10-17页
     ·固体材料的分类第10-11页
     ·半导体材料的能带结构第11-12页
     ·半导体材料的性质第12-13页
     ·硅材料的发展第13-14页
     ·硅基发光材料的发光机制第14-17页
   ·Si 和 Si 基化合物的性能及应用第17-29页
     ·硅材料性能简介第17-19页
     ·SiO_2材料特性简介第19-20页
     ·SiN_x材料特性简介第20页
     ·Si、SiO_2 及SiN_x 光伏材料的应用第20-24页
     ·Si、SiO_2和 SiN_x集成电子器件的应用第24-29页
   ·硅基半导体材料研究现状及本课题的研究意义第29-31页
第二章 材料制备与测试方法第31-41页
   ·半导体材料的制备方法第31-34页
     ·磁控溅射镀膜法第31-32页
     ·分子束外延镀膜法第32页
     ·脉冲激光沉积第32页
     ·化学气相沉积第32-34页
     ·溶胶——凝胶法第34页
   ·硅材料制备第34-35页
     ·多晶硅制备第34-35页
     ·单晶硅制备第35页
   ·SiO_2制备第35-36页
     ·热氧化制备SiO_2第35页
     ·化学气相沉积二氧化硅第35-36页
   ·SiN_x制备第36页
   ·半导体的检测方法第36-41页
     ·光致发光与光致发光激发谱第37页
     ·红外吸收光谱第37-38页
     ·拉曼散射光谱第38-39页
     ·X 射线光电子能谱第39页
     ·扫描电子显微镜第39-41页
第三章 Si/SiO_2、Si/SiN_x/SiO_2及 Si/SiN_x/SiO_2/SiN_x超晶格能带结构第41-60页
   ·Si/SiO_2超晶格系统第41-47页
     ·Si/SiO_2超晶格模型建立第41-42页
     ·Si/SiO_2超晶格模型计算第42-44页
     ·Si/SiO_2与 Si/SiN_x超晶格模型结果与分析第44-47页
   ·Si/SiN_x/SiO_2超晶格膜系统第47-53页
     ·Si/SiN_x/SiO_2超晶格膜模型建立第47-48页
     ·Si/SiN_x/SiO_2超晶格膜模型计算第48-50页
     ·Si/SiN_x/SiO_2超晶格膜模型结果与分析第50-52页
     ·Si/SiO_2 与Si/SiN_x超晶格膜模型有效质量计算第52-53页
   ·Si/SiN_x/SiO_2/SiN_x超晶格模型第53-58页
     ·Si/SiN_x/SiO_2/SiN_x超晶格模型建立第53-54页
     ·Si/SiN_x/SiO_2/SiN_x超晶格模型计算第54-57页
     ·Si/SiN_x/SiO_2/SiN_x超晶格模型计算结果与分析第57-58页
   ·小结第58-60页
第四章 退火处理SiO_2薄膜发光性质研究第60-67页
   ·实验第60页
   ·结果分析与讨论第60-66页
   ·小结第66-67页
第五章 总结与展望第67-69页
参考文献第69-74页
致谢第74-75页
在校期间的科研成果第75页

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