硅波导特种光栅耦合器的设计与研究
摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-21页 |
1.1 引言 | 第8-9页 |
1.2 光栅耦合器在光子集成中的发展 | 第9-19页 |
1.2.1 光栅耦合器的研究进展 | 第10-12页 |
1.2.2 垂直耦合光栅耦合器的研究进展 | 第12-15页 |
1.2.3 偏振不相关光栅耦合器的研究进展 | 第15-17页 |
1.2.4 研究现状总结 | 第17-19页 |
1.3 本文主要研究内容 | 第19-21页 |
第2章 光栅耦合器反向设计方法的研究 | 第21-27页 |
2.1 引言 | 第21页 |
2.2 基于目标第一的反向设计方法 | 第21-26页 |
2.2.1 光栅耦合器结构的优化算法 | 第23-24页 |
2.2.2 目标收敛条件的研究 | 第24-26页 |
2.3 本章小结 | 第26-27页 |
第3章 基于反向设计的特种光栅耦合器的设计 | 第27-36页 |
3.1 引言 | 第27页 |
3.2 垂直耦合光栅耦合器的反向设计 | 第27-29页 |
3.3 偏振不相关光栅耦合器的反向设计 | 第29-31页 |
3.4 反向设计的结果验证与误差分析 | 第31-35页 |
3.4.1 FDTD数值仿真的结果验证 | 第31-34页 |
3.4.2 制备误差分析 | 第34-35页 |
3.4.3 光纤耦合角度误差分析 | 第35页 |
3.5 本章小结 | 第35-36页 |
第4章 两微米波段光栅耦合器设计 | 第36-50页 |
4.1 引言 | 第36页 |
4.2 两微米波段光栅耦合器的结构 | 第36-41页 |
4.2.1 两微米波段光栅衍射相位优化 | 第36-39页 |
4.2.2 两微米波段光栅衍射强度优化 | 第39-41页 |
4.3 两微米波段光栅耦合器数值仿真 | 第41-49页 |
4.3.1 光栅初始周期与占空比的影响 | 第42-44页 |
4.3.2 刻蚀深度对光栅耦合器性能的影响 | 第44-45页 |
4.3.3 SOI结构的选择 | 第45-47页 |
4.3.4 光栅耦合器的优化结果的讨论 | 第47-49页 |
4.4 本章小结 | 第49-50页 |
第5章 光栅耦合器制备与测试研究 | 第50-59页 |
5.1 引言 | 第50页 |
5.2 光栅耦合器的制备 | 第50-54页 |
5.3 光栅耦合器测试平台搭建与测试 | 第54-58页 |
5.4 本章小结 | 第58-59页 |
结论 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-65页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第65-67页 |
致谢 | 第67页 |