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基于SOI的耦合器的关键技术研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 绪论第11-17页
    1.1 研究意义第11-12页
    1.2 国内外研究现状及发展动态第12-15页
        1.2.1 全息图第12页
        1.2.2 MMI之间有相移器连接第12-13页
        1.2.3 MMI直接相连第13-14页
        1.2.4 蝶形MMI第14-15页
    1.3 论文主要研究内容及创新点第15-17页
第二章 基于SOI的定向耦合器的研究第17-27页
    2.1 引言第17页
    2.2 定向耦合器的设计与仿真第17-23页
        2.2.1 工作原理第17-19页
        2.2.2 方案设计第19-20页
        2.2.3 仿真结果第20-23页
            2.2.3.1 R=30μm的1×3定向耦合器的仿真结果第20-22页
            2.2.3.2 R=10μm的1×3定向耦合器的仿真结果第22-23页
    2.3 绝热耦合器的设计与仿真第23-25页
        2.3.1 工作原理第23-24页
        2.3.2 方案设计第24页
        2.3.3 仿真结果第24-25页
    2.4 本章小结第25-27页
第三章 基于SOI的多模干涉耦合器的研究第27-45页
    3.1 引言第27页
    3.2 多模干涉耦合器原理第27-30页
        3.2.1 自映像原理第27-29页
        3.2.2 MMI耦合器的主要性能指标第29-30页
    3.3 准任意分光的1×3MMI耦合器第30-43页
        3.3.1 分光比为1:1:1的1×3MMI耦合器第31-32页
        3.3.2 分光比为1:2:1的1×3MMI耦合器第32-41页
            3.3.2.1 有矩形缺口的1×3MMI耦合器第32-39页
            3.3.2.2 有三角形缺口的1×3MMI耦合器第39-41页
        3.3.3 其他分光比的1×3MMI耦合器第41-43页
    3.4 本章小结第43-45页
第四章 耦合器的制作与器件测试第45-55页
    4.1 引言第45页
    4.2 1×3定向耦合器的制作与测试第45-50页
        4.2.1 1×3定向耦合器的制作第45-49页
        4.2.2 1×3定向耦合器的测试与结果分析第49-50页
    4.3 1×3MMI耦合器的制作与测试第50-53页
        4.3.1 1×3MMI耦合器的制作第50-52页
        4.3.2 1×3MMI耦合器的测试与结果分析第52-53页
    4.4 本章小结第53-55页
第五章 总结与展望第55-58页
    5.1 论文工作总结第55-57页
    5.2 工作展望第57-58页
参考文献第58-61页
致谢第61-62页
攻读硕士学位期间论文发表情况第62页

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