| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 符号说明 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 半导体纳米线 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体纳米线光电探测器 | 第11-15页 |
| 1.2.1 半导体纳米线光电导和光导增益 | 第11-13页 |
| 1.2.2 纳米线光电探测器 | 第13-15页 |
| 1.2.3 InAs纳米线光电探测器 | 第15页 |
| 1.3 论文的结构安排 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 纳米线的制备与表征方法 | 第19-33页 |
| 2.1 半导体纳米线的合成机制 | 第19-23页 |
| 2.1.1 催化剂法 | 第19-22页 |
| 2.1.2 自催化法 | 第22页 |
| 2.1.3 氧化物辅助生长法 | 第22-23页 |
| 2.2 半导体纳米线外延生长技术 | 第23-25页 |
| 2.2.1 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) | 第23-24页 |
| 2.2.2 分子束外延(MBE) | 第24-25页 |
| 2.3 半导体纳米线的检测与表征技术 | 第25-28页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜技术(SEM) | 第26-27页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜技术(TEM) | 第27页 |
| 2.3.3 光致发光技术(PL) | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-33页 |
| 第三章 InAs纳米线的生长与表征 | 第33-38页 |
| 3.1 InAs纳米线的生长 | 第33-34页 |
| 3.2 InAs纳米线的表征 | 第34-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第四章 单根InAs纳米线探测器的制备与测试 | 第38-54页 |
| 4.1 单根InAs纳米线探测器的制备所需设备及技术 | 第38-40页 |
| 4.1.1 紫外(UV)光刻技术 | 第38-39页 |
| 4.1.2 磁控溅射技术 | 第39-40页 |
| 4.2 单根InAs纳米线探测器的制备工艺 | 第40-44页 |
| 4.3 单根InAs纳米线探测器的测试 | 第44-48页 |
| 4.4 单根InAs纳米线探测器制备工艺优化 | 第48-51页 |
| 4.4.1 InAs纳米线的光电效应与纳米线长度关系探究 | 第48-49页 |
| 4.4.2 石墨烯材料在InAs纳米线探测器中的应用 | 第49-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第56页 |
