| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 GaN的基本性质 | 第10-13页 |
| 1.1.1 GaN的物理性质 | 第10-12页 |
| 1.1.2 GaN的化学性质 | 第12页 |
| 1.1.3 GaN的光学性质 | 第12-13页 |
| 1.1.4 GaN的电学性质 | 第13页 |
| 1.2 GaN薄膜衬底材料的选择 | 第13-16页 |
| 1.2.1 蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底 | 第13-15页 |
| 1.2.2 碳化硅(SiC)衬底 | 第15页 |
| 1.2.3 硅(Si)衬底 | 第15页 |
| 1.2.4 金属衬底 | 第15-16页 |
| 1.3 GaN的应用领域 | 第16-17页 |
| 1.3.1 光电器件 | 第16-17页 |
| 1.3.2 高频高功率电子器件 | 第17页 |
| 1.4 本文研究的意义与研究内容 | 第17-19页 |
| 2 GaN的生长与表征方法 | 第19-27页 |
| 2.1 GaN薄膜制备技术 | 第19-22页 |
| 2.1.1 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第19页 |
| 2.1.2 分子束外延(MBE) | 第19-21页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积(PLD) | 第21-22页 |
| 2.1.4 氢化物气相外延(HVPE) | 第22页 |
| 2.2 实验设备 | 第22-24页 |
| 2.3 表征手段 | 第24-27页 |
| 2.3.1 薄膜的晶体结构分析 | 第24-25页 |
| 2.3.2 薄膜的表面形貌分析 | 第25页 |
| 2.3.3 薄膜的光学特性分析 | 第25-26页 |
| 2.3.4 薄膜的电学特性分析 | 第26-27页 |
| 3 沉积温度对GaN薄膜性能的影响 | 第27-40页 |
| 3.1 沉积温度对GaN/Ti薄膜的性能影响研究 | 第27-34页 |
| 3.1.1 实验过程及参数 | 第27-28页 |
| 3.1.2 实验结果与分析 | 第28-32页 |
| 3.1.3 小结 | 第32-34页 |
| 3.2 沉积温度对GaN/Mo的性能影响研究 | 第34-40页 |
| 3.2.1 实验过程及参数 | 第34-35页 |
| 3.2.2 实验结果与分析 | 第35-39页 |
| 3.2.3 小结 | 第39-40页 |
| 4 TMGa流量对GaN薄膜性能的影响 | 第40-49页 |
| 4.1 TMGa流量对GaN/Ti薄膜的性能影响研究 | 第40-43页 |
| 4.1.1 实验过程及参数 | 第40页 |
| 4.1.2 实验结果与分析 | 第40-43页 |
| 4.2 TMGa流量对GaN/Mo薄膜的性能影响研究 | 第43-48页 |
| 4.2.1 实验过程及参数 | 第43页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第43-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |