| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 非晶态半导体材料 | 第9-10页 |
| 1.2 非晶Fe-Si的性能和结构研究 | 第10-12页 |
| 1.2.1 半导体性能 | 第10-11页 |
| 1.2.2 非晶Fe-Si的近程序研究 | 第11-12页 |
| 1.3 与半导体型非晶Fe-Si相关的晶态p-FeSi2 | 第12-15页 |
| 1.4 Fe-Si系统的掺杂研究 | 第15-16页 |
| 1.5 论文依据和主要内容 | 第16-17页 |
| 2 薄膜制备与分析方法 | 第17-23页 |
| 2.1 Fe-Si薄膜的制备工艺 | 第17-18页 |
| 2.2 Fe-Si-M薄膜的分析 | 第18-23页 |
| 2.2.1 薄膜成分分析 | 第18-19页 |
| 2.2.2 薄膜微结构分析 | 第19页 |
| 2.2.3 薄膜光学性能分析 | 第19-21页 |
| 2.2.4 薄膜电阻率分析 | 第21页 |
| 2.2.5 薄膜热稳定性分析 | 第21-23页 |
| 3 团簇理论 | 第23-27页 |
| 3.1 团簇来源 | 第23-24页 |
| 3.2 相图介绍 | 第24-25页 |
| 3.3 Fe-Si二元非晶团簇模型的建立 | 第25-27页 |
| 4 Fe-Si二元实验结果分析 | 第27-44页 |
| 4.1 薄膜成分和微结构分析 | 第27-29页 |
| 4.2 薄膜带隙特性分析 | 第29-31页 |
| 4.3 薄膜电阻率和晶化温度分析 | 第31-33页 |
| 4.4 薄膜局域结构的团簇解析 | 第33-36页 |
| 4.5 经DSC退火后薄膜的微结构 | 第36-40页 |
| 4.6 长时间退火后薄膜的微结构及带隙特性分析 | 第40-43页 |
| 4.7 小结 | 第43-44页 |
| 5 第三组元M对Fe-Si-M薄膜性能的影响 | 第44-56页 |
| 5.1 薄膜成分和微结构分析 | 第44-48页 |
| 5.1.1 薄膜成分分析 | 第44-45页 |
| 5.1.2 薄膜微结构分析 | 第45-48页 |
| 5.2 Fe-Si-M薄膜性能分析 | 第48-56页 |
| 5.2.1 基片对薄膜带隙测量的影响 | 第48-49页 |
| 5.2.2 Fe-Si-C和Fe-Si-Mn三元非晶薄膜的带隙特性分析 | 第49-51页 |
| 5.2.3 薄膜电阻率分析 | 第51-52页 |
| 5.2.4 薄膜晶化温度分析 | 第52-54页 |
| 5.2.5 三元薄膜与二元薄膜的性能对比 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |