| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-15页 |
| 1.1 量子霍尔效应 | 第10-11页 |
| 1.2 二维拓扑绝缘体 | 第11-12页 |
| 1.3 三维拓扑绝缘体 | 第12-13页 |
| 1.4 拓扑绝缘体的研究前景 | 第13-15页 |
| 第二章 实验仪器和实验原理 | 第15-26页 |
| 2.1 本章简介 | 第15页 |
| 2.2 扫描隧道显微技术 | 第15-17页 |
| 2.2.1 量子隧穿效应 | 第15-16页 |
| 2.2.2 扫描隧道显微术的基本原理 | 第16-17页 |
| 2.3 STM的主要结构 | 第17-20页 |
| 2.3.1 扫描头 | 第17-18页 |
| 2.3.2 惯性步进器 | 第18-19页 |
| 2.3.3 振动隔离系统 | 第19页 |
| 2.3.4 电子仪器与控制系统 | 第19-20页 |
| 2.4 超高真空技术 | 第20-24页 |
| 2.4.1 涡旋式真空泵 | 第21页 |
| 2.4.2 分子泵 | 第21-22页 |
| 2.4.3 离子泵 | 第22-23页 |
| 2.4.4 钛升华泵 | 第23页 |
| 2.4.5 泵组的联合使用 | 第23-24页 |
| 2.5 分子束外延（Molecular Beam Epitaxy, MBE) | 第24-25页 |
| 2.6 极低温技术 | 第25-26页 |
| 第三章 超薄Pb膜的生长和表征 | 第26-36页 |
| 3.1 研究背景和相关理论 | 第26-28页 |
| 3.1.1 量子尺寸效应(Quantum Size Effect,QSE) | 第26页 |
| 3.1.2 金属薄膜的研究背景 | 第26页 |
| 3.1.3 马约拉纳费米子 | 第26-27页 |
| 3.1.4 异质外延薄膜的三种主要生长方式 | 第27-28页 |
| 3.2 实验部分 | 第28-34页 |
| 3.2.1 Bi_2Te_3薄膜的MBE生长 | 第28-30页 |
| 3.2.2 低温沉积Pb原子 | 第30页 |
| 3.2.3 样品退火以及STM形貌表征 | 第30-33页 |
| 3.2.4 非原位XPS测量 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 研究Bi_2Te_3(111)表面与水的反应 | 第36-42页 |
| 4.1 研究背景 | 第36-37页 |
| 4.1.1 研究拓扑绝缘体与水反应的意义 | 第36-37页 |
| 4.2 实验部分 | 第37-41页 |
| 4.2.1 纯化水操作 | 第37页 |
| 4.2.2 沉积水分子并进行形貌和STS谱的表征 | 第37-41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 结论 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 硕士期间取得成果 | 第53-54页 |
