摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 文献综述 | 第11-31页 |
引言 | 第11页 |
1.1 国内外F-T合成反应研究的概况 | 第11-13页 |
1.2 负载钴基催化剂的研究进展 | 第13-15页 |
1.3 大孔径、高比表面γ-Al_2O_3的合成进展 | 第15-22页 |
1.3.1 大孔径、高比表面γ-Al_2O_3的研究现状 | 第15-16页 |
1.3.2 沉淀法制备γ-Al_2O_3材料 | 第16-19页 |
1.3.2.1 氨沉淀法 | 第16-17页 |
1.3.2.2 酸沉淀法 | 第17页 |
1.3.2.3 碳化法 | 第17-18页 |
1.3.2.4 碳酸铝铵沉淀法 | 第18-19页 |
1.3.3 制备γ-Al_2O_3的辅助技术 | 第19-22页 |
1.3.3.1 扩孔剂法 | 第19-20页 |
1.3.3.2 模板剂法 | 第20页 |
1.3.3.3 低温烧结法 | 第20-21页 |
1.3.3.4 超临界法 | 第21页 |
1.3.3.5 超重力法 | 第21-22页 |
1.3.4 归纳与总结 | 第22页 |
1.4 立题依据和研究思路 | 第22-24页 |
1.4.1 立题依据 | 第22-23页 |
1.4.2 研究思路和内容 | 第23-24页 |
参考文献 | 第24-31页 |
第二章 实验部分 | 第31-39页 |
2.1 试剂与仪器 | 第31-32页 |
2.2 Al_2O_3载体的制备 | 第32-33页 |
2.2.1 高温正加反应 | 第33页 |
2.2.2 常温正加反应 | 第33页 |
2.2.3 常温反加反应 | 第33页 |
2.3 Al_2O_3负载Co基催化剂的的制备 | 第33-34页 |
2.3.1 选择制备催化剂的Al_2O_3载体 | 第33-34页 |
2.3.2 制备负载型CoO_x/Al_2O_3-7 | 第34页 |
2.3.3 制备负载型CoRuO_x/Al_2O_3催化剂 | 第34页 |
2.4 催化剂的表征方法 | 第34-36页 |
2.4.1 N_2物理吸附实验 | 第34页 |
2.4.2 X射线衍射(XRD) | 第34-35页 |
2.4.3 氢气程序升温还原(H_2-TPR) | 第35页 |
2.4.4 氢气程序升温脱附(H_2-TPD) | 第35页 |
2.4.5 透射电镜显微镜(TEM) | 第35-36页 |
2.5 催化剂的活性评价及产物分析方法 | 第36-38页 |
2.5.1 催化剂活性评价装置 | 第36页 |
2.5.2 产物分析方法及反应性能指标计算 | 第36-38页 |
参考文献 | 第38-39页 |
第三章 γ-Al_2O_3材料的表征分析 | 第39-49页 |
3.1 Al_2O_3材料的织构分析 | 第39-44页 |
3.1.1 不同方法制备的Al_2O_3材料的织构分析 | 第39-40页 |
3.1.2 Al_2O_3-1 | 第40-41页 |
3.1.3 Al_2O_3-1 | 第41-44页 |
3.2 Al_2O_3的耐高温性能分析 | 第44-46页 |
3.2.1 不同焙烧温度下Al_2O_3织构分析 | 第44-45页 |
3.2.2 不同焙烧温度下Al_2O_3晶相分析 | 第45-46页 |
3.3 本章小结 | 第46-48页 |
参考文献 | 第48-49页 |
第四章 γ-Al_2O_3负载钴基催化剂的表征及F-T反应性能研究 | 第49-61页 |
4.1 γ-Al_2O_3负载钴基催化剂的表征分析 | 第49-56页 |
4.1.1 金属助剂Ru对商业Al_2O_3-7 | 第50-52页 |
4.1.2 制备条件对商业γ-Al_2O_3-7 | 第52-55页 |
4.1.3 自制Al_2O_3-1 | 第55-56页 |
4.2 γ-Al_2O_3负载钴基催化剂在F-T反应器上的性能评价 | 第56-59页 |
4.2.1 F-T合成反应器 | 第56-57页 |
4.2.2 催化剂的还原活化 | 第57-58页 |
4.2.3 γ-Al_2O_3负载钴基催化剂的F-T合成反应性能评价 | 第58-59页 |
4.3 本章小结 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-61页 |
第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
5.1 结论 | 第61-62页 |
5.1.1 γ-Al_2O_3材料的制备及性能研究 | 第61页 |
5.1.2 γ-Al_2O_3负载钴基催化剂的制备、表征及F-T反应性能研究 | 第61-62页 |
5.2 展望 | 第62-63页 |
附录 | 第63-64页 |
1 作者简介 | 第63页 |
2 撰写的文章目录 | 第63-64页 |
致谢 | 第64页 |