| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 忆阻器简介 | 第10-12页 |
| 1.3 忆阻材料及阻变机理 | 第12-17页 |
| 1.4 本文研究内容及内容结构安排 | 第17-19页 |
| 2 纳米尺度忆阻器电学特性的第一性原理计算方法研究 | 第19-25页 |
| 2.1 多粒子体系的薛定谔方程 | 第19-20页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第20-23页 |
| 2.3 Atomistix ToolKit软件 | 第23-25页 |
| 3 忆阻器计算模型分析与构建 | 第25-34页 |
| 3.1 惠普忆阻器模型分析 | 第25-27页 |
| 3.2 忆阻单元具体建模方案 | 第27-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 4 忆阻器单元第一性原理计算 | 第34-45页 |
| 4.1 第一性计算原理计算方法 | 第34-36页 |
| 4.2 忆阻单元电学特性分析 | 第36-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 5 总结与展望 | 第45-47页 |
| 5.1 总结 | 第45-46页 |
| 5.2 下一步研究重点 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |