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反应烧结碳化硅陶瓷的制备及碳化硅纳米线增强研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第11-25页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 SiC陶瓷材料的烧结方法第12-16页
        1.2.1 无压烧结第13页
        1.2.2 热压烧结第13-14页
        1.2.3 反应烧结第14-16页
    1.3 陶瓷补强增韧的方法第16-23页
        1.3.1 颗粒补强增韧第16-17页
        1.3.2 纤维补强增韧第17-19页
        1.3.3 晶须补强增韧第19-21页
        1.3.4 SiC纳米线补强增韧第21-23页
    1.4 课题研究意义、目的与内容第23-25页
        1.4.1 课题研究的意义与目的第23-24页
        1.4.2 研究内容第24-25页
第二章 实验及测试方法第25-32页
    2.1 实验材料第25-26页
    2.2 实验设备第26-27页
    2.3 样品制备第27-29页
    2.4 测试方法第29-32页
        2.4.1 密度测试第29页
        2.4.2 硬度测试第29-30页
        2.4.3 物相分析第30页
        2.4.4 金相分析第30页
        2.4.5 形貌分析第30页
        2.4.6 弯曲强度测试第30-32页
第三章 高性能反应烧结碳化硅陶瓷材料的制备第32-46页
    3.1 引言第32页
    3.2 素坯碳密度的理论计算第32-33页
    3.3 以炭黑、酚醛树脂为碳源制备RBSC陶瓷材料第33-38页
        3.3.1 实验的制备第33-34页
        3.3.2 素坯碳密度对烧结体密度的影响第34-35页
        3.3.3 素坯碳密度对烧结体力学性能的影响第35-36页
        3.3.4 素坯碳密度对烧结体显微结构的影响第36-38页
        3.3.5 小结第38页
    3.4 以酚醛树脂为包覆碳源制备RBSC陶瓷材料第38-45页
        3.4.1 实验的制备第38-40页
        3.4.2 素坯碳密度对烧结体密度的影响第40-41页
        3.4.3 素坯碳密度对烧结体力学性能的影响第41-42页
        3.4.4 素坯碳密度对烧结体显微结构的影响第42-45页
        3.4.5 小结第45页
    3.5 总结第45-46页
第四章 SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷材料第46-58页
    4.1 引言第46页
    4.2 实验的制备第46-48页
    4.3 SiC纳米线在陶瓷基体的分散第48-50页
    4.4 实验结果与讨论第50-56页
        4.4.1 SiC_(nw)/SiC陶瓷复合材料的密度与相组成第50-51页
        4.4.2 SiC_(nw)/SiC陶瓷复合材料的力学性能第51-53页
        4.4.3 SiC纳米线的补强增韧机理第53-56页
    4.5 总结第56-58页
第五章 结论与展望第58-60页
参考文献第60-67页
硕士期间学术成果第67-68页
致谢第68页

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