摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 SiC陶瓷材料的烧结方法 | 第12-16页 |
1.2.1 无压烧结 | 第13页 |
1.2.2 热压烧结 | 第13-14页 |
1.2.3 反应烧结 | 第14-16页 |
1.3 陶瓷补强增韧的方法 | 第16-23页 |
1.3.1 颗粒补强增韧 | 第16-17页 |
1.3.2 纤维补强增韧 | 第17-19页 |
1.3.3 晶须补强增韧 | 第19-21页 |
1.3.4 SiC纳米线补强增韧 | 第21-23页 |
1.4 课题研究意义、目的与内容 | 第23-25页 |
1.4.1 课题研究的意义与目的 | 第23-24页 |
1.4.2 研究内容 | 第24-25页 |
第二章 实验及测试方法 | 第25-32页 |
2.1 实验材料 | 第25-26页 |
2.2 实验设备 | 第26-27页 |
2.3 样品制备 | 第27-29页 |
2.4 测试方法 | 第29-32页 |
2.4.1 密度测试 | 第29页 |
2.4.2 硬度测试 | 第29-30页 |
2.4.3 物相分析 | 第30页 |
2.4.4 金相分析 | 第30页 |
2.4.5 形貌分析 | 第30页 |
2.4.6 弯曲强度测试 | 第30-32页 |
第三章 高性能反应烧结碳化硅陶瓷材料的制备 | 第32-46页 |
3.1 引言 | 第32页 |
3.2 素坯碳密度的理论计算 | 第32-33页 |
3.3 以炭黑、酚醛树脂为碳源制备RBSC陶瓷材料 | 第33-38页 |
3.3.1 实验的制备 | 第33-34页 |
3.3.2 素坯碳密度对烧结体密度的影响 | 第34-35页 |
3.3.3 素坯碳密度对烧结体力学性能的影响 | 第35-36页 |
3.3.4 素坯碳密度对烧结体显微结构的影响 | 第36-38页 |
3.3.5 小结 | 第38页 |
3.4 以酚醛树脂为包覆碳源制备RBSC陶瓷材料 | 第38-45页 |
3.4.1 实验的制备 | 第38-40页 |
3.4.2 素坯碳密度对烧结体密度的影响 | 第40-41页 |
3.4.3 素坯碳密度对烧结体力学性能的影响 | 第41-42页 |
3.4.4 素坯碳密度对烧结体显微结构的影响 | 第42-45页 |
3.4.5 小结 | 第45页 |
3.5 总结 | 第45-46页 |
第四章 SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷材料 | 第46-58页 |
4.1 引言 | 第46页 |
4.2 实验的制备 | 第46-48页 |
4.3 SiC纳米线在陶瓷基体的分散 | 第48-50页 |
4.4 实验结果与讨论 | 第50-56页 |
4.4.1 SiC_(nw)/SiC陶瓷复合材料的密度与相组成 | 第50-51页 |
4.4.2 SiC_(nw)/SiC陶瓷复合材料的力学性能 | 第51-53页 |
4.4.3 SiC纳米线的补强增韧机理 | 第53-56页 |
4.5 总结 | 第56-58页 |
第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-67页 |
硕士期间学术成果 | 第67-68页 |
致谢 | 第68页 |