| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 制取氢气的主要方法 | 第11-14页 |
| 1.2.1 光化学产氢 | 第11-12页 |
| 1.2.2 电解水法制氢 | 第12页 |
| 1.2.3 生物制氢 | 第12-13页 |
| 1.2.4 热分解法制氢 | 第13页 |
| 1.2.5 光催化分解水产氢 | 第13-14页 |
| 1.3 半导体光催化制氢 | 第14-20页 |
| 1.3.1 半导体材料的发展 | 第14-15页 |
| 1.3.2 半导体光催化基本原理 | 第15-18页 |
| 1.3.3 半导体光催化材料的常用制备方法 | 第18-20页 |
| 1.4 影响半导体光催化性能因素 | 第20-23页 |
| 1.4.1 半导体光催化材料的能带位置与禁带宽度 | 第20-21页 |
| 1.4.2 半导体材料的比表面积 | 第21-22页 |
| 1.4.3 半导体材料的尺寸大小和结晶性 | 第22页 |
| 1.4.4 牺牲剂的影响 | 第22-23页 |
| 1.5 提高光催化产氢性能常用方法 | 第23-28页 |
| 1.5.1 半导体晶相结构和结晶性的调控 | 第23-24页 |
| 1.5.2 负载贵金属或者氧化物 | 第24-25页 |
| 1.5.3 掺杂改性提高半导体催化性能 | 第25-27页 |
| 1.5.4 构建半导体异质结 | 第27-28页 |
| 1.6 Cu_2ZnSnS_4光催化产氢研究进展 | 第28-31页 |
| 第二章 Cu_2ZnSnS_4的制备及其光催化制氢性能表征 | 第31-37页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 实验部分 | 第31-33页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第31页 |
| 2.2.2 表征测试仪器 | 第31页 |
| 2.2.3 Cu_2ZnSnS_4纳米晶的制备 | 第31-33页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第33-35页 |
| 2.3.1 Cu_2ZnSnS_4纳米晶的X射线衍射结果分析 | 第33页 |
| 2.3.2 高分辨透射电镜分析 | 第33-34页 |
| 2.3.3 拉曼图谱分析 | 第34-35页 |
| 2.4 光催化制氢速率及其稳定性 | 第35页 |
| 2.5 小结 | 第35-37页 |
| 第三章 合成的铜锌锡硫在光降解有机物方面的应用 | 第37-43页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 罗丹明B | 第37-38页 |
| 3.3 实验试剂及实验过程 | 第38-40页 |
| 3.3.1 实验试剂 | 第38页 |
| 3.3.2 实验过程 | 第38-40页 |
| 3.4 光催化降解RhB性能分析 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 Cu_2ZnSnS_4-CdS异质结的构建及在光催化产氢上的应用 | 第43-53页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 实验试剂及实验过程 | 第44-46页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第44页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第44-46页 |
| 4.3 仪器表征与结果讨论 | 第46-51页 |
| 4.3.1 Cu_2ZnSnS_4-CdS异质结纳米晶X射线衍射分析 | 第46-47页 |
| 4.3.2 拉曼图谱分析 | 第47页 |
| 4.3.3 X射线光电子能谱分析 | 第47-48页 |
| 4.3.4 高分辨透射电镜分析 | 第48-49页 |
| 4.3.5 Cu_2ZnSnS_4-CdS异质结的产氢性能及其稳定性 | 第49-51页 |
| 4.4 小结 | 第51-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-57页 |
| 5.1 结论 | 第53-54页 |
| 5.2 论文创新 | 第54页 |
| 5.3 展望 | 第54-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
