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三氧化钨基气敏材料的形貌控制和铜掺杂对丙酮响应的影响

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
1 绪论第12-27页
    1.1 引言第12页
    1.2 金属氧化物气体传感器第12-19页
        1.2.1 气体传感器的特性第12-13页
        1.2.2 气敏机理第13-14页
        1.2.3 气敏元件结构第14-15页
        1.2.4 金属氧化物纳米颗粒的小尺寸效应第15-16页
        1.2.5 金属氧化物的多孔纳米结构和它们的气敏性能第16-17页
        1.2.6 金属氧化物纳米结构在纳米尺度水平上的掺杂第17-18页
        1.2.7 湿度第18-19页
    1.3 WO_3材料第19-26页
        1.3.1 基本性质第19-23页
            1.3.1.1 晶体结构和相变第19-20页
            1.3.1.2 非化学计量学的WOx的结构第20-21页
            1.3.1.3 WO_3水合物第21页
            1.3.1.4 电子能带结构第21-22页
            1.3.1.5 导电性第22页
            1.3.1.6 铁电性质第22-23页
            1.3.1.7 掺杂第23页
        1.3.2 纳米结构WOx的合成第23-25页
            1.3.2.1 气相合成第23-24页
            1.3.2.2 液相合成第24-25页
        1.3.3 WOx的应用第25-26页
    1.4 本课题的提出与研究内容第26-27页
2 实验试剂、仪器及其研究方法第27-30页
    2.1 实验试剂第27页
    2.2 实验仪器第27-28页
    2.3 表征方法第28页
    2.4 气敏性能测试第28-30页
        2.4.1 工作原理第28-29页
        2.4.2 气敏元件的制作第29页
        2.4.3 气敏性能测试方法第29-30页
3 氧化钨的形貌控制、表征和对丙酮的气敏响应第30-46页
    3.1 实验部分第30-31页
        3.1.1 空心球状的氧化钨(WO_3-H)的制备第30页
        3.1.2 海胆状的氧化钨(WO_3-U)和片状的氧化钨(WO_3-P)的制备第30-31页
    3.2 结果与讨论第31-44页
        3.2.1 溶剂热法前体浓度对WO_3-H的影响第31-32页
        3.2.2 WO_3-H的形貌和微观结构表征第32-33页
        3.2.3 WO_3-U和WO_3-P的形貌和微观结构表征第33-35页
        3.2.4 溶剂热溶剂对WO_3-U和WO_3-P的影响第35-36页
        3.2.5 WO_3-H-x、WO_3-U-x、WO_3-P-x(x,煅烧温度)的形貌和微观结构表征第36-39页
        3.2.6 不同形貌的材料的气敏性能测试第39-44页
    3.3 气敏机理第44-45页
    3.4 本章总结第45-46页
4 铜掺杂空心球状氧化钨的制备、表征和对丙酮的气敏响应第46-58页
    4.1 实验部分第46-47页
    4.2 结果与讨论第47-56页
        4.2.1 y%Cu/WO_3-H-550(y%,掺杂量)的形貌和微观结构表征第47-50页
        4.2.2 铜掺杂空心球状氧化钨的气敏性能测试第50-56页
    4.3 气敏机理第56-57页
    4.4 本章总结第57-58页
5 全文结论与展望第58-60页
    5.1 全文结论第58-59页
    5.2 展望第59-60页
参考文献第60-68页
致谢第68页

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