摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
目录 | 第8-10页 |
第1章 绪论 | 第10-21页 |
1.1 Al-Mg-Si-Cu 合金概述 | 第10-11页 |
1.2 铝合金的强化机制 | 第11-12页 |
1.2.1 固溶强化 | 第11页 |
1.2.2 析出强化 | 第11-12页 |
1.2.3 晶界强化 | 第12页 |
1.3 Al-Mg-Si-Cu 合金的析出序列 | 第12-13页 |
1.4 铝合金的腐蚀 | 第13-18页 |
1.4.1 孔蚀 | 第14-15页 |
1.4.2 晶间腐蚀 | 第15-18页 |
1.4.3 剥落腐蚀 | 第18页 |
1.5 电化学腐蚀及其原理 | 第18-19页 |
1.5.1 塔菲尔曲线 | 第19页 |
1.5.2 电化学阻抗 | 第19页 |
1.6 本文的研究目的和内容 | 第19-21页 |
第2章 实验方法 | 第21-25页 |
2.1 实验材料的制备 | 第21页 |
2.2 Al-Mg-Si-Cu 合金的热处理工艺 | 第21-22页 |
2.3 实验研究方法及相关设备 | 第22-25页 |
2.3.1 显微硬度测试 | 第22页 |
2.3.2 导电率测试 | 第22页 |
2.3.3 加速腐蚀实验 | 第22-23页 |
2.3.4 电化学测试方法 | 第23页 |
2.3.5 扫描电镜观察 | 第23页 |
2.3.6 透射电镜观察 | 第23-25页 |
第3章 人工时效对 Al-Mg-Si-Cu 合金晶间腐蚀性能的影响 | 第25-41页 |
3.1 Al-Mg-Si-Cu 合金的人工时效硬化行为 | 第25-26页 |
3.2 Al-Mg-Si-Cu 合金的人工时效对导电率的影响 | 第26-27页 |
3.3 加速腐蚀实验 | 第27-32页 |
3.3.1 轧向—横向平面腐蚀形貌观察 | 第28-30页 |
3.3.2 法向—横向平面腐蚀形貌观察 | 第30-32页 |
3.4 晶内及晶界析出相的粗化规律 | 第32-33页 |
3.5 透射电镜分析 | 第33-36页 |
3.5.1 A 合金不同时效态晶内析出情况 | 第33-35页 |
3.5.2 B 合金不同时效态晶内析出情况 | 第35-36页 |
3.6 人工时效对 Al-Mg-Si-Cu 合金电化学行为的影响 | 第36-38页 |
3.6.1 塔菲尔曲线测试 | 第36-37页 |
3.6.2 交流阻抗谱测试 | 第37-38页 |
3.7 分析讨论 | 第38-39页 |
3.8 本章小结 | 第39-41页 |
第4章 T78 时效工艺对 Al-Mg-Si-Cu 合金显微结构和性能的影响 | 第41-51页 |
4.1 T6 和 T78 工艺对合金时效硬化行为的影响 | 第41-42页 |
4.2 T6 和 T78 时效工艺对合金导电率的影响 | 第42-43页 |
4.3 T6 和 T78 时效工艺对合金晶间腐蚀性能的影响 | 第43-44页 |
4.4 T6 和 T78 时效工艺对晶粒内析出相的影响 | 第44-46页 |
4.5 T6 和 T78 时效工艺对合金晶界析出的影响 | 第46-48页 |
4.6 分析讨论 | 第48-50页 |
4.7 本章小结 | 第50-51页 |
第5章 热加工及晶粒尺寸对 Al-Mg-Si-Cu 合金腐蚀性能的影响 | 第51-61页 |
5.1 不同晶粒尺寸的 Al-Mg-Si-Cu 合金 | 第51-55页 |
5.1.1 晶粒尺寸对合金晶间腐蚀的影响 | 第52-53页 |
5.1.2 晶粒尺寸对合金电化学行为的影响 | 第53-55页 |
5.1.2.1 塔菲尔曲线测试 | 第53-54页 |
5.1.2.2 交流阻抗谱测试 | 第54-55页 |
5.2 不同热加工态的 Al-Mg-Si-Cu 合金 | 第55-58页 |
5.2.1 冷轧工艺对合金腐蚀性能的影响 | 第55-56页 |
5.2.2 不同热加工态对合金电化学行为的影响 | 第56-58页 |
5.2.2.1 塔菲尔曲线测试 | 第56-57页 |
5.2.2.2 交流阻抗谱测试 | 第57-58页 |
5.3 分析讨论 | 第58-60页 |
5.4 本章小结 | 第60-61页 |
结论 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-69页 |
致谢 | 第69-70页 |
附录A(攻读硕士学位期间所发表的学术论文目录) | 第70页 |