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Al-Mg-Si-Cu合金腐蚀特性与显微结构间关系的研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
目录第8-10页
第1章 绪论第10-21页
    1.1 Al-Mg-Si-Cu 合金概述第10-11页
    1.2 铝合金的强化机制第11-12页
        1.2.1 固溶强化第11页
        1.2.2 析出强化第11-12页
        1.2.3 晶界强化第12页
    1.3 Al-Mg-Si-Cu 合金的析出序列第12-13页
    1.4 铝合金的腐蚀第13-18页
        1.4.1 孔蚀第14-15页
        1.4.2 晶间腐蚀第15-18页
        1.4.3 剥落腐蚀第18页
    1.5 电化学腐蚀及其原理第18-19页
        1.5.1 塔菲尔曲线第19页
        1.5.2 电化学阻抗第19页
    1.6 本文的研究目的和内容第19-21页
第2章 实验方法第21-25页
    2.1 实验材料的制备第21页
    2.2 Al-Mg-Si-Cu 合金的热处理工艺第21-22页
    2.3 实验研究方法及相关设备第22-25页
        2.3.1 显微硬度测试第22页
        2.3.2 导电率测试第22页
        2.3.3 加速腐蚀实验第22-23页
        2.3.4 电化学测试方法第23页
        2.3.5 扫描电镜观察第23页
        2.3.6 透射电镜观察第23-25页
第3章 人工时效对 Al-Mg-Si-Cu 合金晶间腐蚀性能的影响第25-41页
    3.1 Al-Mg-Si-Cu 合金的人工时效硬化行为第25-26页
    3.2 Al-Mg-Si-Cu 合金的人工时效对导电率的影响第26-27页
    3.3 加速腐蚀实验第27-32页
        3.3.1 轧向—横向平面腐蚀形貌观察第28-30页
        3.3.2 法向—横向平面腐蚀形貌观察第30-32页
    3.4 晶内及晶界析出相的粗化规律第32-33页
    3.5 透射电镜分析第33-36页
        3.5.1 A 合金不同时效态晶内析出情况第33-35页
        3.5.2 B 合金不同时效态晶内析出情况第35-36页
    3.6 人工时效对 Al-Mg-Si-Cu 合金电化学行为的影响第36-38页
        3.6.1 塔菲尔曲线测试第36-37页
        3.6.2 交流阻抗谱测试第37-38页
    3.7 分析讨论第38-39页
    3.8 本章小结第39-41页
第4章 T78 时效工艺对 Al-Mg-Si-Cu 合金显微结构和性能的影响第41-51页
    4.1 T6 和 T78 工艺对合金时效硬化行为的影响第41-42页
    4.2 T6 和 T78 时效工艺对合金导电率的影响第42-43页
    4.3 T6 和 T78 时效工艺对合金晶间腐蚀性能的影响第43-44页
    4.4 T6 和 T78 时效工艺对晶粒内析出相的影响第44-46页
    4.5 T6 和 T78 时效工艺对合金晶界析出的影响第46-48页
    4.6 分析讨论第48-50页
    4.7 本章小结第50-51页
第5章 热加工及晶粒尺寸对 Al-Mg-Si-Cu 合金腐蚀性能的影响第51-61页
    5.1 不同晶粒尺寸的 Al-Mg-Si-Cu 合金第51-55页
        5.1.1 晶粒尺寸对合金晶间腐蚀的影响第52-53页
        5.1.2 晶粒尺寸对合金电化学行为的影响第53-55页
            5.1.2.1 塔菲尔曲线测试第53-54页
            5.1.2.2 交流阻抗谱测试第54-55页
    5.2 不同热加工态的 Al-Mg-Si-Cu 合金第55-58页
        5.2.1 冷轧工艺对合金腐蚀性能的影响第55-56页
        5.2.2 不同热加工态对合金电化学行为的影响第56-58页
            5.2.2.1 塔菲尔曲线测试第56-57页
            5.2.2.2 交流阻抗谱测试第57-58页
    5.3 分析讨论第58-60页
    5.4 本章小结第60-61页
结论第61-63页
参考文献第63-69页
致谢第69-70页
附录A(攻读硕士学位期间所发表的学术论文目录)第70页

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