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静态随机存取存储器IP核全定制设计与实现

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第12-20页
    1.1 课题研究背景及意义第12-14页
    1.2 半导体存储器的发展第14-18页
        1.2.1 概述第14页
        1.2.2 半导体存储器的种类第14-18页
    1.3 本文主要工作及研究成果第18-19页
    1.4 文章的组织结构第19-20页
第2章 SRAM概述第20-26页
    2.1 静态随机存取存储器SRAM的组成第20-21页
    2.2 SRAM基本单元及读写原理第21-23页
        2.2.1 数据存储原理第21-22页
        2.2.2 基本存储单元的六管结构第22-23页
    2.3 SRAM基本单元的工作原理第23-25页
    2.4 本章小结第25-26页
第3章 SRAM的子电路与设计第26-52页
    3.1 低能耗的SRAM设计第26-30页
    3.2 基本存储单元设计第30-36页
    3.3 存储器译码电路设计第36-41页
    3.4 SRAM预冲电路第41-43页
    3.5 读出敏感放大器设计第43-48页
        3.5.1 敏感放大器的种类第44-45页
        3.5.2 设计模拟电流敏感放大器第45-48页
    3.6 设计控制信号生成电路第48-51页
        3.6.1 预充使能信号电路第48-49页
        3.6.2 敏感放大使能信号生成电路第49-50页
        3.6.3 预充阶段停止读数据信号生成电路第50-51页
    3.7 本章小结第51-52页
第4章 设计SRAM的版图第52-62页
    4.1 版图的设计流程第52-54页
    4.2 SRAM版图设计第54-57页
    4.3 结构化SRAM版图设计第57-60页
        4.3.1 SRAM基本功能块的版图设计第58-60页
        4.3.2 版图整体效果第60页
    4.4 本章小结第60-62页
结论与展望第62-64页
参考文献第64-67页
致谢第67页

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