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离子束辐照导致InxGa1-xN(0.32≤x≤1.0)薄膜表面形貌及化学组分的变化

中文摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-19页
    1.1 选题背景与研究意义第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-17页
        1.2.1 In_xGa_(1-x)N材料的辐照损伤研究第9-12页
        1.2.2 离子束辐照导致 Ш 族氮化物材料表面形貌变化的研究第12-14页
        1.2.3 离子束辐照导致 Ш 族氮化物材料化学组分变化的研究第14-17页
    1.3 本论文的主要工作第17-19页
第二章 实验第19-24页
    2.1 实验样品第19页
    2.2 离子辐照与退火实验第19-21页
    2.3 样品表面形貌测试第21-22页
    2.4 样品表面化学组分的测试第22-24页
第三章 离子束辐照导致In_xGa_(1-x)N表面形貌变化的研究第24-36页
    3.1 原生薄膜的表面形貌分析第24-26页
    3.2 室温Xe离子辐照导致薄膜表面形貌的变化第26-28页
    3.3 室温Xe离子辐照后薄膜表面形貌的高温退火效应第28-30页
    3.4 高温Xe离子辐照导致薄膜表面形貌的变化第30-32页
    3.5 离子束辐照导致薄膜表面出现凸起和凹坑的物理机制第32-36页
第四章 离子束辐照导致In_xGa_(1-x)N化学组分变化的研究第36-45页
    4.1 原生薄膜的化学组分分析第36-37页
    4.2 室温Xe离子辐照导致薄膜表面化学组分的变化第37-43页
    4.3 高温Xe离子辐照导致薄膜表面化学组分的变化第43-45页
第五章 总结与展望第45-47页
    5.1 总结第45页
    5.2 展望第45-47页
参考文献第47-52页
在学期间的研究成果第52-53页
致谢第53-54页
附录 1第54-56页

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