| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第11-19页 |
| §1.1 微机电系统(MEMS)发展背景 | 第11-13页 |
| §1.2 微压力传感器介绍 | 第13-16页 |
| §1.3 纳米硅薄膜材料的应用特点 | 第16-17页 |
| §1.4 本论文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 掺硼纳米硅薄膜的制备与表征 | 第19-37页 |
| §2.1 薄膜制备方法 | 第19-21页 |
| §2.2 纳米硅薄膜沉积原理 | 第21-24页 |
| §2.3 掺硼纳米硅薄膜制备与表征 | 第24-29页 |
| §2.4 关键工艺条件对薄膜微结构的影响 | 第29-37页 |
| 2.4.1 衬底温度对掺硼纳米硅薄膜微结构的影响 | 第29-31页 |
| 2.4.2 射频功率对掺硼纳米硅薄膜生长速率的影响 | 第31-32页 |
| 2.4.3 硅烷稀释度对掺硼纳米硅薄膜微结构的影响 | 第32-34页 |
| 2.4.4 直流偏压对薄膜微结构的影响 | 第34-35页 |
| 2.4.5 退火对掺硼纳米硅薄膜微结构的影响 | 第35-37页 |
| 第三章 掺硼纳米硅薄膜的力学和电学性能研究 | 第37-48页 |
| §3.1 掺硼纳米硅薄膜力学性能研究 | 第37-43页 |
| 3.1.1 纳米压痕技术 | 第37-39页 |
| 3.1.2 掺硼纳米硅薄膜的力学性能研究 | 第39-43页 |
| §3.2 掺硼纳米硅薄膜的电学性能研究 | 第43-48页 |
| 3.2.1 四探针技术测量薄层电阻的原理 | 第43-44页 |
| 3.2.2 掺硼纳米硅薄膜的电学性能研究 | 第44-48页 |
| 第四章 纳米硅薄膜微压力传感器芯片设计与研究 | 第48-60页 |
| §4.1 纳米硅薄膜压阻效应和压阻全桥原理 | 第48-52页 |
| 4.1.1 压阻效应理论 | 第48-49页 |
| 4.1.2 纳米硅薄膜压阻效应 | 第49-50页 |
| 4.1.3 压阻全桥原理 | 第50-52页 |
| §4.2 传感器芯片设计 | 第52-60页 |
| 4.2.1 双岛方膜结构设计 | 第53-56页 |
| 4.2.2 压敏电阻条设计 | 第56-58页 |
| 4.2.3 传感器芯片制作工艺流程 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-63页 |
| §5.1 论文总结 | 第60-62页 |
| §5.2 工作展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读学位期间发表的论文及奖励 | 第67页 |