| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 本文的主要内容与结构安排 | 第11-13页 |
| 2 硅基光功率监测方案的研究现状 | 第13-28页 |
| 2.1 锗硅光功率监测方案 | 第13-17页 |
| 2.2 双光子吸收光功率监测器 | 第17-20页 |
| 2.3 表面态吸收光功率监测器 | 第20-22页 |
| 2.4 缺陷态吸收光功率监测器 | 第22-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 缺陷态光功率监测器的电学结构设计 | 第28-45页 |
| 3.1 器件电学结构设计 | 第28-30页 |
| 3.1.1 p-i-n设计 | 第28-29页 |
| 3.1.2 优化器件性能的设计 | 第29-30页 |
| 3.2 器件电学结构的仿真分析 | 第30-42页 |
| 3.2.1 Silvaco TCAD半导体工艺和器件仿真软件的简单介绍 | 第30-31页 |
| 3.2.2 p-i-n结的仿真分析 | 第31-42页 |
| 3.3 仿真优化 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 4 硅基光电子器件的实验研究 | 第45-54页 |
| 4.1 光功率监测器响应度的实验研究 | 第45-51页 |
| 4.1.1 光电流的实验测试 | 第46-48页 |
| 4.1.2 响应度的实验测试 | 第48-50页 |
| 4.1.3 仿真与实验的对比与校正 | 第50-51页 |
| 4.2 光功率监测器损耗的实验研究 | 第51-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 5 工作总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 工作总结 | 第54页 |
| 5.2 展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第61页 |