摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-25页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 中红外波导特性与应用现状 | 第10-18页 |
1.2.1 波导型中红外传感器件 | 第11-17页 |
1.2.2 中红外波导型传感器应用 | 第17-18页 |
1.3 金属包覆波导的研究现状 | 第18-19页 |
1.4 本论文的研究内容与主要目的 | 第19-21页 |
1.5 参考文献 | 第21-25页 |
第2章 中红外金属包覆波导高阶模的特性分析 | 第25-38页 |
2.1 介质平板波导 | 第25-31页 |
2.1.1 平板波导的射线法模型 | 第26-29页 |
2.1.2 平板波导的电磁理论模型 | 第29-31页 |
2.2 对称金属包覆介质波导 | 第31-36页 |
2.2.1 金属的光频特性 | 第32页 |
2.2.2 对称金属包覆介质波导 | 第32-33页 |
2.2.3 利用高阶模敏感特性的中红外传感器设计 | 第33-36页 |
2.3 本章小结 | 第36-37页 |
2.4 参考文献 | 第37-38页 |
第3章 基于中红外金属包覆波导高阶模特性的实验 | 第38-56页 |
3.1 实验流程 | 第38-46页 |
3.1.1 实验测试系统的设计 | 第38-41页 |
3.1.2 红外棱镜设计与加工 | 第41-43页 |
3.1.3 金属材料的蒸镀 | 第43-45页 |
3.1.4 实验测试系统的搭建与调试 | 第45-46页 |
3.2 实验测试结果 | 第46-53页 |
3.2.1 SPR传感器测试结果 | 第47-50页 |
3.2.2 基于棱镜耦合的中红外传感器测试结果 | 第50-51页 |
3.2.3 基于高阶模特性的中红外传感器测试结果 | 第51-53页 |
3.3 器件的测试展望 | 第53-54页 |
3.4 本章小结 | 第54-55页 |
3.5 参考文献 | 第55-56页 |
第4章 基于中红外金属包覆的负古斯汉欣位移效应与应用 | 第56-69页 |
4.1 金属包覆波导表面位移增强效应 | 第56-59页 |
4.1.1 古斯汉欣位移 | 第56-57页 |
4.1.2 金属包覆波导的古斯汉欣位移增强效应 | 第57-59页 |
4.2 GH位移增强效应在中红外波段的性质 | 第59-63页 |
4.2.1 金属厚度对GH位移增强效应的影响 | 第60-62页 |
4.2.2 金属介电常数对GH位移增强效应的影响 | 第62-63页 |
4.3 负向位移的应用构想 | 第63-66页 |
4.3.1 中红外光陷阱的设计 | 第63-64页 |
4.3.2 中红外光延时器的设计 | 第64-65页 |
4.3.3 器件的改进与展望 | 第65-66页 |
4.4 本章小结 | 第66-67页 |
4.5 参考文献 | 第67-69页 |
第5章 总结与展望 | 第69-71页 |
攻读硕士学位期间所取得的研究成果 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |