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中红外金属包覆波导的超高阶模特性研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-25页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 中红外波导特性与应用现状第10-18页
        1.2.1 波导型中红外传感器件第11-17页
        1.2.2 中红外波导型传感器应用第17-18页
    1.3 金属包覆波导的研究现状第18-19页
    1.4 本论文的研究内容与主要目的第19-21页
    1.5 参考文献第21-25页
第2章 中红外金属包覆波导高阶模的特性分析第25-38页
    2.1 介质平板波导第25-31页
        2.1.1 平板波导的射线法模型第26-29页
        2.1.2 平板波导的电磁理论模型第29-31页
    2.2 对称金属包覆介质波导第31-36页
        2.2.1 金属的光频特性第32页
        2.2.2 对称金属包覆介质波导第32-33页
        2.2.3 利用高阶模敏感特性的中红外传感器设计第33-36页
    2.3 本章小结第36-37页
    2.4 参考文献第37-38页
第3章 基于中红外金属包覆波导高阶模特性的实验第38-56页
    3.1 实验流程第38-46页
        3.1.1 实验测试系统的设计第38-41页
        3.1.2 红外棱镜设计与加工第41-43页
        3.1.3 金属材料的蒸镀第43-45页
        3.1.4 实验测试系统的搭建与调试第45-46页
    3.2 实验测试结果第46-53页
        3.2.1 SPR传感器测试结果第47-50页
        3.2.2 基于棱镜耦合的中红外传感器测试结果第50-51页
        3.2.3 基于高阶模特性的中红外传感器测试结果第51-53页
    3.3 器件的测试展望第53-54页
    3.4 本章小结第54-55页
    3.5 参考文献第55-56页
第4章 基于中红外金属包覆的负古斯汉欣位移效应与应用第56-69页
    4.1 金属包覆波导表面位移增强效应第56-59页
        4.1.1 古斯汉欣位移第56-57页
        4.1.2 金属包覆波导的古斯汉欣位移增强效应第57-59页
    4.2 GH位移增强效应在中红外波段的性质第59-63页
        4.2.1 金属厚度对GH位移增强效应的影响第60-62页
        4.2.2 金属介电常数对GH位移增强效应的影响第62-63页
    4.3 负向位移的应用构想第63-66页
        4.3.1 中红外光陷阱的设计第63-64页
        4.3.2 中红外光延时器的设计第64-65页
        4.3.3 器件的改进与展望第65-66页
    4.4 本章小结第66-67页
    4.5 参考文献第67-69页
第5章 总结与展望第69-71页
攻读硕士学位期间所取得的研究成果第71-72页
致谢第72页

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