| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外相关研究 | 第12-19页 |
| 1.2.1 忆阻器的相关研究 | 第12-15页 |
| 1.2.2 时间数字转换器的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.3 忆阻器与TDC相结合的思路 | 第19-20页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第20-21页 |
| 1.5 本文的组织架构 | 第21-23页 |
| 第二章 忆阻器原理及结构模型 | 第23-37页 |
| 2.1 忆阻器的工作原理及特性 | 第23-24页 |
| 2.2 忆阻器建模 | 第24-29页 |
| 2.2.1 基本的忆阻器模型 | 第24-28页 |
| 2.2.2 改进的忆阻器模型 | 第28-29页 |
| 2.3 改进的忆阻器特性仿真 | 第29-35页 |
| 2.3.1 忆阻器的spice模型构建 | 第29-31页 |
| 2.3.2 忆阻器的spice模型仿真 | 第31-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 基于忆阻器的可编程延迟单元 | 第37-48页 |
| 3.1 基本数控延迟单元的结构分析 | 第37-40页 |
| 3.2 基于忆阻器的可编程延迟单元设计 | 第40-46页 |
| 3.2.1 整体结构 | 第40-41页 |
| 3.2.2 忆阻器的可编程噪声模型 | 第41-43页 |
| 3.2.3 忆阻器可编程逻辑设计 | 第43-44页 |
| 3.2.4 仿真与结果分析 | 第44-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 基于忆阻器的局部无源内插TDC | 第48-77页 |
| 4.1 局部无源内插TDC的结构原理及性能参数 | 第48-53页 |
| 4.1.1 TDC的基本原理及性能参数 | 第48-51页 |
| 4.1.2 局部无源内插TDC的工作原理 | 第51-53页 |
| 4.2 基于忆阻器的局部无源内插TDC设计 | 第53-70页 |
| 4.2.1 整体结构 | 第53-56页 |
| 4.2.2 差分信号产生单元设计 | 第56-58页 |
| 4.2.3 全差分灵敏放大器的设计 | 第58-62页 |
| 4.2.4 校准单元的设计 | 第62-70页 |
| 4.3 后处理单元设计 | 第70-71页 |
| 4.4 TDC仿真结果及其分析 | 第71-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 基于忆阻器的局部无源内插TDC在工艺偏差侦测中的应用 | 第77-87页 |
| 5.1 工艺偏差侦测的基本原理和方法 | 第77-78页 |
| 5.2 传感单元设计 | 第78-83页 |
| 5.3 侦测电路的设计和验证 | 第83-86页 |
| 5.4 本章小结 | 第86-87页 |
| 第六章 总结与展望 | 第87-93页 |
| 6.1 基于忆阻器的TDC整体性能评估 | 第87-90页 |
| 6.1.1 TDC分辨率、动态范围、面积和功耗评估 | 第87-90页 |
| 6.1.2 工艺侦测电路的整体性能评估 | 第90页 |
| 6.2 结论和本文的主要工作 | 第90-91页 |
| 6.3 后续工作和未来展望 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-103页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第103页 |