| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 课题背景及研究目的 | 第11-12页 |
| 1.2 SiC陶瓷钎焊国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 活性钎料 | 第13-15页 |
| 1.2.2 非活性钎料 | 第15页 |
| 1.3 金属-陶瓷界面第一性原理研究现状 | 第15-18页 |
| 1.3.1 Ti/SiC界面第一性原理计算 | 第15-17页 |
| 1.3.2 Al/SiC界面第一性原理计算 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的主要研究内容和思路 | 第18-21页 |
| 1.4.1 论文研究思路 | 第18-19页 |
| 1.4.2 模拟计算方案 | 第19-21页 |
| 第2章 模拟计算方法及试验 | 第21-28页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第21-23页 |
| 2.2 计算软件 | 第23页 |
| 2.3 表面 | 第23-24页 |
| 2.4 界面 | 第24-25页 |
| 2.5 试验部分 | 第25-28页 |
| 2.5.1 试验设备及装置 | 第25-26页 |
| 2.5.2 微观分析及性能测试 | 第26-28页 |
| 第3章 SiC与Al基钎料界面结合特性 | 第28-56页 |
| 3.1 前言 | 第28页 |
| 3.2 Al/SiC界面结合的计算 | 第28-40页 |
| 3.2.1 模型与计算方法 | 第28-30页 |
| 3.2.2 参数选定和体相计算 | 第30-32页 |
| 3.2.3 表面原子层数和表面能 | 第32-33页 |
| 3.2.4 Al(111)/SiC(0001)界面模型 | 第33-35页 |
| 3.2.5 分离功与界面能 | 第35-37页 |
| 3.2.6 电子结构 | 第37-39页 |
| 3.2.7 顶位型Si封端界面的计算 | 第39-40页 |
| 3.3 Si/SiC界面结合的计算 | 第40-44页 |
| 3.3.1 参数选定和体相计算 | 第40-42页 |
| 3.3.2 表面原子层数和表面能 | 第42页 |
| 3.3.3 Si(111)/SiC(0001)界面模型 | 第42-43页 |
| 3.3.4 结果与讨论 | 第43-44页 |
| 3.4 Al-12Si与SiC界面的模拟计算 | 第44-51页 |
| 3.4.1 体相模型的确定 | 第44-46页 |
| 3.4.2 表面及界面结构的确定 | 第46-47页 |
| 3.4.3 电子结构分析 | 第47-49页 |
| 3.4.4 Al-12Si/SiC的Si终止面界面 | 第49-51页 |
| 3.5 界面化合物Al_4C_3的形成与抑制的探讨 | 第51-55页 |
| 3.5.1 Al/SiC界面化合物Al_4C_3的形成 | 第51-52页 |
| 3.5.2 Al/SiC界面上Al/Si原子活性的讨论 | 第52-54页 |
| 3.5.3 Al-12Si/SiC界面上Al_4C_3的抑制 | 第54-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第4章 SiC与Sn基钎料界面结合特性 | 第56-71页 |
| 4.1 前言 | 第56页 |
| 4.2 Sn/SiC界面结合的计算 | 第56-63页 |
| 4.2.1 模型与计算方法 | 第56-57页 |
| 4.2.2 参数选定和体相计算 | 第57-58页 |
| 4.2.3 表面原子层数和表面能 | 第58-59页 |
| 4.2.4 Sn(001)/SiC(0001)界面模型 | 第59-60页 |
| 4.2.5 分离功 | 第60-61页 |
| 4.2.6 电子结构分析 | 第61-63页 |
| 4.3 Sn-1.0Al/SiC界面结合的计算 | 第63-69页 |
| 4.3.1 体相模型的确定 | 第63-64页 |
| 4.3.2 表面及界面结构的确定 | 第64-65页 |
| 4.3.3 电子结构分析 | 第65-68页 |
| 4.3.4 C封端界面化合物的讨论 | 第68-69页 |
| 4.3.5 预测 | 第69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第5章 Sn基钎料超声钎焊SiC陶瓷 | 第71-77页 |
| 5.1 前言 | 第71页 |
| 5.2 Sn基钎料 | 第71-72页 |
| 5.3 界面微观结构 | 第72-74页 |
| 5.4 接头力学性能测试 | 第74-75页 |
| 5.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
