| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 SnO_2纳米材料的基本性质 | 第8-9页 |
| 1.3 一维半导体纳米材料光电探测器 | 第9-21页 |
| 1.3.1 一维半导体纳米材料光电探测器的研究意义 | 第9-10页 |
| 1.3.2 一维半导体纳米材料光电探测器的工作机理 | 第10-11页 |
| 1.3.3 一维半导体纳米材料光电探测器的基本参数 | 第11-12页 |
| 1.3.4 一维半导体纳米材料光电探测器的研究现状 | 第12-21页 |
| 1.4 论文选题依据和基本内容 | 第21-23页 |
| 第二章 SnO_2“纳米桥”光电探测器的制备及测试 | 第23-35页 |
| 2.1 SnO_2纳米线的制备及表征 | 第23-27页 |
| 2.1.1 SnO_2纳米线的生长方法和机制 | 第23-24页 |
| 2.1.2 SnO_2纳米线的制备 | 第24-25页 |
| 2.1.3 SnO_2纳米线的表征 | 第25-27页 |
| 2.2 基于单根SnO_2纳米线的光电探测器 | 第27-31页 |
| 2.2.1 器件的制备 | 第27-29页 |
| 2.2.2 光敏测试 | 第29-31页 |
| 2.3 基于SnO_2“纳米桥”的光电探测器 | 第31-35页 |
| 2.3.1 器件的制备 | 第31-32页 |
| 2.3.2 光敏测试 | 第32-35页 |
| 第三章 SnO_2“纳米桥”光电探测器的性能研究 | 第35-43页 |
| 3.1 单根纳米线器件和“纳米桥”器件的性能对比 | 第35-37页 |
| 3.2 结型纳米线器件的性能研究 | 第37-39页 |
| 3.2.1 器件的制备 | 第37页 |
| 3.2.2 光敏测试及性能研究 | 第37-39页 |
| 3.3 双根纳米线器件的性能研究 | 第39-41页 |
| 3.3.1 器件的制备 | 第39-40页 |
| 3.3.2 光敏测试及性能研究 | 第40-41页 |
| 3.4 “纳米桥”光电探测器性能提升的机理 | 第41-43页 |
| 第四章 总结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
