中文摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-24页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 碳化硅陶瓷材料概述 | 第9-22页 |
1.2.1 碳化硅结构简介 | 第9-12页 |
1.2.1.1 碳化硅的基本结构 | 第9页 |
1.2.1.2 碳化硅各类晶型简介及其相互转变 | 第9-12页 |
1.2.2 碳化硅陶瓷材料的制备 | 第12-18页 |
1.2.2.1 碳热还原法 | 第12-13页 |
1.2.2.2 自蔓延高温合成法 | 第13-14页 |
1.2.2.3 溶胶凝胶法 | 第14-15页 |
1.2.2.4 化学气相沉积法 | 第15-17页 |
1.2.2.5 先驱体衍生法 | 第17-18页 |
1.2.3 先驱体衍生法制备碳化硅陶瓷材料的关键技术 | 第18-22页 |
1.2.3.1 先驱体改进 | 第18-20页 |
1.2.3.2 交联和裂解过程 | 第20-22页 |
1.3 课题来源、意义及内容 | 第22-24页 |
1.3.1 课题来源及意义 | 第22-23页 |
1.3.2 课题内容 | 第23-24页 |
第二章 实验方法 | 第24-28页 |
2.1 实验原材料及试剂 | 第24页 |
2.2 处理过程 | 第24-26页 |
2.2.1 交联处理过程 | 第24-25页 |
2.2.2 裂解处理过程 | 第25页 |
2.2.3 陶瓷化处理过程 | 第25页 |
2.2.4 样品编号 | 第25-26页 |
2.3 测试仪器及条件 | 第26-28页 |
2.3.1 傅里叶变换红外光谱(FT-IR) | 第26页 |
2.3.2 拉曼光谱(Raman) | 第26-27页 |
2.3.3 X射线衍射光谱(XRD) | 第27页 |
2.3.4 选区电子衍射(SAED)和高分辨(HRTEM) | 第27页 |
2.3.5 氧含量的测定 | 第27-28页 |
第三章 交联及裂解条件探索及其对于碳化硅相组成的影响 | 第28-42页 |
3.1 引言 | 第28页 |
3.2 交联条件 | 第28-34页 |
3.2.1 处理温度 | 第28-31页 |
3.2.2 处理气氛 | 第31-33页 |
3.2.3 处理时间 | 第33-34页 |
3.3 裂解条件 | 第34-41页 |
3.4 本章小结 | 第41-42页 |
第四章 陶瓷化条件探索及其对于碳化硅相组成的影响 | 第42-51页 |
4.1 引言 | 第42页 |
4.2 陶瓷化条件 | 第42-49页 |
4.2.1 加热方式、温度、及时间 | 第42-47页 |
4.2.2 添加剂 | 第47-49页 |
4.3 本章小结 | 第49-51页 |
第五章 本文主要结论 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-59页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第59-60页 |
致谢 | 第60-61页 |