| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 电子导电陶瓷 | 第10-14页 |
| 1.2.1 金属基导电陶瓷 | 第10页 |
| 1.2.2 ZnO基导电陶瓷 | 第10-11页 |
| 1.2.3 TiO_2基导电陶瓷 | 第11-12页 |
| 1.2.4 SnO_2基导电陶瓷 | 第12页 |
| 1.2.5 碳化物陶瓷 | 第12-14页 |
| 1.2.6 氮化物陶瓷 | 第14页 |
| 1.3 氧离子导电陶瓷 | 第14-17页 |
| 1.3.1 CeO_2基导电陶瓷 | 第15页 |
| 1.3.2 Bi_2O_3基导电陶瓷 | 第15-16页 |
| 1.3.3 LaGaO_3基导电陶瓷 | 第16-17页 |
| 1.4 电子-氧离子混合导电陶瓷 | 第17-18页 |
| 1.5 ZrO_2陶瓷 | 第18-21页 |
| 1.5.1 ZrO_2的基本性质和晶体结构 | 第18-19页 |
| 1.5.2 ZrO_2的电学性质及应用 | 第19-21页 |
| 1.6 本文的研究内容及创新点 | 第21-22页 |
| 1.6.1 研究内容 | 第21页 |
| 1.6.2 创新点 | 第21-22页 |
| 第2章 掺杂ZrO_2陶瓷的制备及实验方法 | 第22-31页 |
| 2.1 ZrO_2陶瓷原料的配料与混料 | 第22-23页 |
| 2.2 陶瓷的成型 | 第23页 |
| 2.3 陶瓷的烧结 | 第23-26页 |
| 2.4 掺杂相的影响 | 第26-27页 |
| 2.5 氩气流量 | 第27页 |
| 2.6 实验设备及作用 | 第27-28页 |
| 2.7 掺杂ZrO_2陶瓷的性能表征 | 第28-31页 |
| 2.7.1 扫描电镜观察 | 第28页 |
| 2.7.2 抗弯强度测试 | 第28页 |
| 2.7.3 硬度测试 | 第28页 |
| 2.7.4 XRD物相分析 | 第28页 |
| 2.7.5 电阻率测试 | 第28-30页 |
| 2.7.6 收缩率测试 | 第30页 |
| 2.7.7 密度测试 | 第30-31页 |
| 第3章 不同掺杂相对ZrO_2陶瓷导电性的影响 | 第31-45页 |
| 3.1 载流子导电掺杂相 | 第31-39页 |
| 3.1.1 Mg O掺杂对ZrO_2陶瓷导电性的影响 | 第32-33页 |
| 3.1.2 Zn O掺杂对ZrO_2陶瓷导电性的影响 | 第33-35页 |
| 3.1.3 Nb2O5掺杂对ZrO_2陶瓷导电性的影响 | 第35-37页 |
| 3.1.4 WO3掺杂对ZrO_2陶瓷导电性的影响 | 第37-39页 |
| 3.2 网络导电掺杂相 | 第39-43页 |
| 3.2.1 AZO掺杂对ZrO_2陶瓷导电性的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.2 TiN掺杂对ZrO_2陶瓷导电性的影响 | 第41-43页 |
| 3.3 本章小节 | 第43-45页 |
| 第4章 TiN掺杂ZrO_2陶瓷性能的影响因素 | 第45-52页 |
| 4.1 TiN掺杂量对ZrO_2陶瓷性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.1.1 TiN掺杂量对致密度的影响 | 第45-46页 |
| 4.1.2 TiN掺杂量对收缩率的影响 | 第46-47页 |
| 4.2 烧结温度对ZrO_2陶瓷性能的影响 | 第47-51页 |
| 4.2.1 烧结温度对电阻率的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.2 烧结温度对抗弯强度的影响 | 第48页 |
| 4.2.3 烧结温度对致密度的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.4 烧结温度对硬度的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.5 烧结温度对物相结构的影响 | 第50页 |
| 4.2.6 烧结温度对微观结构的影响 | 第50-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 主要结论 | 第52-53页 |
| 5.2 后续工作与展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第59页 |
