| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 第一章 绪论 | 第6-20页 |
| 1.1 引言 | 第6-7页 |
| 1.2 新型非易失存储器的发展 | 第7-11页 |
| 1.2.1 铁电存储器(Ferroelectaic RAM，简称FRAM) | 第7-8页 |
| 1.2.2 相变存储器(Phase-change RAM，简称PRAM) | 第8-10页 |
| 1.2.3 磁阻存储器(Magnetic memory) | 第10-11页 |
| 1.3 阻变存储器的阻变机理 | 第11-16页 |
| 1.3.1 阻变现象 | 第11-13页 |
| 1.3.2 阻变机理分类 | 第13-14页 |
| 1.3.3 导电细丝理论 | 第14-15页 |
| 1.3.4 空间电荷限制电流效应 | 第15-16页 |
| 1.3.5 肖特基发射效应和P-F效应 | 第16页 |
| 1.4 几种非易失存储器性能的比较 | 第16-18页 |
| 1.5 本文的选题背景及思路 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜的制备方法及表征 | 第20-28页 |
| 2.1 薄膜沉积技术 | 第20-23页 |
| 2.1.1 激光脉冲沉积 | 第20-22页 |
| 2.1.2 离子溅射 | 第22页 |
| 2.1.3 电子束蒸发 | 第22-23页 |
| 2.2 结构表征 | 第23-28页 |
| 2.2.0 X射线衍射(XRD) | 第23-24页 |
| 2.2.1 X射线光电子能谱(XPS) | 第24页 |
| 2.2.2 台阶厚度测试仪 | 第24页 |
| 2.2.3 原子力显微镜（AFM） | 第24-25页 |
| 2.2.4 I-V测量仪器Keithley2400性能及参数 | 第25-28页 |
| 第三章 FeCo/MgO/Fe薄膜的TMR效应 | 第28-38页 |
| 3.1 磁存储器 | 第28页 |
| 3.2 隧穿磁电阻TMR型MRAM | 第28-31页 |
| 3.3 TMR制备及表征 | 第31-33页 |
| 3.4 隧道结的输运性质 | 第33-36页 |
| 3.5 小结 | 第36-38页 |
| 第四章 n-Si/SiO_2-CoFe_2O_4/In阻变异质结的研究 | 第38-50页 |
| 4.1 前言 | 第38页 |
| 4.2 n-Si/SiO_2-CoFe_2O_4/In异质结的制备 | 第38-41页 |
| 4.2.1 CoFe_2O_4靶材的制备 | 第38-40页 |
| 4.2.2 CoFe_2O_4薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 4.3 CoFe_2O_4薄膜的性质 | 第41-43页 |
| 4.4 CoFe_2O_4的电阻开关特性 | 第43-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
