| 摘要 | 第5-6页 |
| 英文摘要 | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体存储器的分类 | 第10-13页 |
| 1.3 阻变存储器 | 第13-18页 |
| 1.3.1 阻变存储器研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.2 无源阻变存储器的集成 | 第15-18页 |
| 1.4 选题意义与主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜器件的制备与表征 | 第20-26页 |
| 2.1 器件结构与基本工艺流程 | 第20-21页 |
| 2.2 薄膜器件的制备设备 | 第21-23页 |
| 2.2.1 磁控溅射 | 第21-22页 |
| 2.2.2 电子束蒸发 | 第22页 |
| 2.2.3 光刻与刻蚀 | 第22-23页 |
| 2.3 薄膜器件的表征 | 第23-26页 |
| 2.3.1 原子力显微镜（AFM） | 第23-24页 |
| 2.3.2 X射线衍射（XRD） | 第24页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜（SEM） | 第24-25页 |
| 2.3.4 半导体参数分析仪及示波器 | 第25-26页 |
| 第三章 1S1R无源阻变器件 | 第26-41页 |
| 3.1 通孔结构器件的制作 | 第26-28页 |
| 3.2 W/VO_x/Pt薄膜及器件的表征 | 第28-32页 |
| 3.2.1 氧化钒AFM表征 | 第28-29页 |
| 3.2.2 XRD表征 | 第29-30页 |
| 3.2.3 W/VO_x/Pt电学开关特性 | 第30-32页 |
| 3.3 Ti/HfO_x/Pt双极型阻变特性 | 第32-34页 |
| 3.4 1S1R器件电学特性 | 第34-39页 |
| 3.4.1 1S1R的I-V特性分析 | 第34-35页 |
| 3.4.2 开关器件动态响应 | 第35-36页 |
| 3.4.3 1S1R器件读宽裕度的模拟 | 第36-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 Ti/HfO_x/Pt互补结构阻变器件（CRS） | 第41-50页 |
| 4.1 CRS器件的基本原理 | 第41-42页 |
| 4.2 Ti/HfO_x/Pt CRS器件的模拟 | 第42-48页 |
| 4.2.1 Forming过程 | 第42-44页 |
| 4.2.2 CRS特性 | 第44-46页 |
| 4.2.3 分立器件的I-V特性 | 第46-47页 |
| 4.2.4 脉冲测试的CRS特性 | 第47-48页 |
| 4.3 CRS器件交叉阵列操作电压要求 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 Cu/HfO_x/TiN阻变器件多值存储特性 | 第50-58页 |
| 5.1 Cu/HfO_x/TiN阻变器件的制作 | 第50-51页 |
| 5.2 Cu/HfO_x/TiN薄膜的基本表征 | 第51-52页 |
| 5.3 两种方式引起的多值存储特性 | 第52-54页 |
| 5.4 不同阻态导电机制的研究 | 第54-56页 |
| 5.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第六章 全文总结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |