| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-15页 |
| 1.2 量子信息基础 | 第15-22页 |
| 1.2.1 量子纠缠态及其常见形式 | 第15-19页 |
| 1.2.2 量子纠缠态的度量及应用 | 第19-22页 |
| 1.3 研究现状和基本模型简介 | 第22-26页 |
| 1.4 研究的目的及意义 | 第26-27页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第27-29页 |
| 第2章 利用耗散过程制备两原子最大纠缠态 | 第29-46页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 模型与哈密顿量 | 第30-32页 |
| 2.3 缀饰态表象下的哈密顿量和耗散过程 | 第32-38页 |
| 2.3.1 缀饰态表象下的哈密顿量 | 第32-37页 |
| 2.3.2 缀饰态表象下的耗散过程 | 第37-38页 |
| 2.4 利用耗散过程制备目标纠缠态 | 第38-40页 |
| 2.5 保真度和可行性分析 | 第40-45页 |
| 2.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 利用耗散过程制备三维纠缠态 | 第46-69页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 基本模型和哈密顿量 | 第47-50页 |
| 3.3 有效算符方法 | 第50-54页 |
| 3.4 利用自发辐射过程制备三维纠缠态 | 第54-57页 |
| 3.5 利用腔模泄漏过程制备三维纠缠态 | 第57-63页 |
| 3.5.1 制备三维纠缠态 | 第57-60页 |
| 3.5.2 利用量子反馈控制提高保真度 | 第60-63页 |
| 3.6 讨论和分析 | 第63-66页 |
| 3.7 本章小结 | 第66-69页 |
| 第4章 利用反里德伯阻塞机制下的耗散过程制备纠缠态 | 第69-88页 |
| 4.1 引言 | 第69-71页 |
| 4.2 利用反里德伯阻塞机制下的耗散过程制备两比特最大纠缠态 | 第71-78页 |
| 4.2.1 反里德伯阻塞机制 | 第71-73页 |
| 4.2.2 基本模型和哈密顿量 | 第73-74页 |
| 4.2.3 制备两原子最大纠缠态 | 第74-76页 |
| 4.2.4 数值分析 | 第76-78页 |
| 4.3 利用反里德伯阻塞机制下的耗散过程制备三维最大纠缠态 | 第78-83页 |
| 4.3.1 基本模型和哈密顿量 | 第78-81页 |
| 4.3.2 数值模拟和分析 | 第81页 |
| 4.3.3 负值度 | 第81-83页 |
| 4.4 讨论 | 第83-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-88页 |
| 第5章 利用耗散过程制备分布式量子纠缠态 | 第88-101页 |
| 5.1 引言 | 第88-89页 |
| 5.2 模型和哈密顿量 | 第89-90页 |
| 5.3 制备分布式量子纠缠态 | 第90-96页 |
| 5.3.1 缀饰态表象下的哈密顿量 | 第90-96页 |
| 5.3.2 分布式纠缠态制备过程 | 第96页 |
| 5.4 数值模拟和讨论 | 第96-99页 |
| 5.5 本章小结 | 第99-101页 |
| 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-116页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第116-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 个人简历 | 第121页 |
