| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 能源变革与太阳能电池 | 第10-12页 |
| 1.2 多结GaAs太阳能电池 | 第12-13页 |
| 1.3 量子阱太阳能电池的研究意义和研究现状 | 第13-19页 |
| 1.3.1 量子阱太阳能电池的研究意义 | 第13-16页 |
| 1.3.2 In GaAs/GaAsP量子阱太阳能电池的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.4 研究目标、研究内容与课题来源 | 第19页 |
| 1.5 论文结构 | 第19-22页 |
| 第2章 应力平衡量子阱太阳能电池的研究基础 | 第22-38页 |
| 2.1 量子阱太阳能电池基本原理 | 第22-28页 |
| 2.1.1 太阳能电池基本原理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 太阳能电池主要表征参数 | 第23-25页 |
| 2.1.3 量子阱太阳能电池工作原理 | 第25-28页 |
| 2.2 太阳能电池材料外延生长技术 | 第28-34页 |
| 2.2.1 MOCVD及其设备构成 | 第28-30页 |
| 2.2.2 利用MOCVD生长材料的原理 | 第30-31页 |
| 2.2.3 MOCVD的原位监测 | 第31-34页 |
| 2.3 材料测试表征技术 | 第34-37页 |
| 2.3.1 光致发光测试技术 | 第34页 |
| 2.3.2 高分辨率X射线衍射技术 | 第34-36页 |
| 2.3.3 透射电镜测试 | 第36-37页 |
| 2.3.4 I-V及EQE测试 | 第37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 应力平衡In GaAs/GaAsP量子阱太阳能电池的设计 | 第38-56页 |
| 3.1 三结电池中InGaAs子电池吸收边的优化 | 第38-40页 |
| 3.2 量子阱结构应力平衡的计算和模拟 | 第40-45页 |
| 3.2.1 量子阱中的应力平衡 | 第40-41页 |
| 3.2.2 应力平衡的计算和模拟 | 第41-45页 |
| 3.3 In GaAs/GaAsP多量子阱中组分与阱宽的确定 | 第45-48页 |
| 3.4 量子阱结构的临界厚度 | 第48-51页 |
| 3.4.1 无应力补偿时量子阱结构的临界厚度 | 第48-49页 |
| 3.4.2 有应力补偿时量子阱结构的临界厚度 | 第49-51页 |
| 3.5 In GaAs/Ga AsP多量子阱的吸收系数 | 第51-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-56页 |
| 第4章 应力平衡In GaAs/GaAsP量子阱太阳能电池的实验探究 | 第56-76页 |
| 4.1 应力平衡InGaAs/GaAsP量子阱太阳能电池的生长 | 第56-59页 |
| 4.1.1 量子阱结构的工艺参数 | 第56-57页 |
| 4.1.2 量子阱结构生长时的原位监测 | 第57-59页 |
| 4.2 In GaAs/GaAsP量子阱实际结构参数及生长速率的确定 | 第59-62页 |
| 4.3 不同的结构参数对量子阱太阳能电池性能的影响 | 第62-70页 |
| 4.3.1 阱宽、组分对电池性能的影响 | 第63-66页 |
| 4.3.2 周期数对电池性能的影响 | 第66-70页 |
| 4.4 温度对量子阱太阳能电池性能的影响 | 第70-72页 |
| 4.5 应力平衡的InGaAs/GaAsP多量子阱导入三结电池结构 | 第72-74页 |
| 4.6 本章小结 | 第74-76页 |
| 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 攻读硕士学位期间获得的研究成果 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
