摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪言 | 第10-18页 |
1.1 选择性加氢芳胺基化合物研究进展 | 第10-12页 |
1.1.1 芳胺基化合物的应用 | 第10页 |
1.1.2 制备芳胺基化合物进展 | 第10-12页 |
1.2 肉桂醇研究进展 | 第12-13页 |
1.3 Pt族催化剂在催化加氢中应用 | 第13-15页 |
1.3.1 Ni和Pt的物理性质 | 第13-14页 |
1.3.2 Ni催化剂催化加氢研究进展 | 第14页 |
1.3.3 Pt催化剂催化加氢研究进展 | 第14-15页 |
1.4 Mo基载体材料研究进展 | 第15-16页 |
1.4.1 碳化二钼(Mo_2C)材料 | 第15-16页 |
1.4.2 氧化钼材料 | 第16页 |
1.5 本论文的选题意义、研究目标和创新点 | 第16-18页 |
第二章 样品的制备、表征、性能评价 | 第18-24页 |
2.1 试剂和药品 | 第18-19页 |
2.2 样品的表征 | 第19-21页 |
2.2.1 X-射线粉末衍射(XRD) | 第19页 |
2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第19-20页 |
2.2.3 场发射透射电子显微镜(TEM) | 第20页 |
2.2.4 X-射线光电子能谱(XPS) | 第20页 |
2.2.5 电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES) | 第20页 |
2.2.6 程序升温还原(H2-TPR) | 第20-21页 |
2.2.7 一氧化碳脱附 (CO-TPD) | 第21页 |
2.2.8 氨气脱附 (NH3-TPD) | 第21页 |
2.2.9 氮气等温吸附 | 第21页 |
2.2.10 C、H、N元素分析(EA) | 第21页 |
2.3 催化性能评价 | 第21-24页 |
2.3.1 选择性加氢芳硝基化合物性能评价 | 第21-22页 |
2.3.2 选择性加氢肉桂醛性能评价 | 第22-24页 |
第三章 Ni/Mo_2C纳米线以及Ni/Mo_2C@C复合材料在芳硝基化合物催化加氢中的应用 | 第24-40页 |
3.1 引言 | 第24-25页 |
3.2 实验部分 | 第25-27页 |
3.2.1 前驱体的制备 | 第25-26页 |
3.2.2 载体的制备 | 第26页 |
3.2.3 催化剂的制备 | 第26页 |
3.2.4 碳包覆型催化剂的制备 | 第26-27页 |
3.3 结果与讨论 | 第27-39页 |
3.3.1 镍负载型催化剂的性质与表征 | 第27-34页 |
3.3.2 镍负载型催化剂在选择性加氢芳硝基化合物中的应用 | 第34-36页 |
3.3.3 镍负载型催化剂在酸性环境中失活的研究 | 第36页 |
3.3.4 碳包覆对Ni/Mo_2C催化剂活性的影响 | 第36-37页 |
3.3.5 碳包覆对Ni/Mo_2C催化剂稳定性的改善 | 第37-39页 |
3.4 小结 | 第39-40页 |
第四章 双金属Pt-Sn/H-MoO_x催化加氢含官能团的芳硝基化合物 | 第40-64页 |
4.1 引言 | 第40-41页 |
4.2 实验部分 | 第41-42页 |
4.2.1 MoO3载体的制备 | 第41页 |
4.2.2 Pt/H-MoO_x和Pt-Sn/H-MoO_x催化剂的制备 | 第41-42页 |
4.2.3 Pt和Pt-Sn负载于不同载体催化剂的制备 | 第42页 |
4.3 结果与讨论 | 第42-62页 |
4.3.1 Pt和Pt-Sn催化剂的性质与表征 | 第42-52页 |
4.3.2 还原温度对Pt/H-MoO_x催化加氢 4-NS性能的影响 | 第52-54页 |
4.3.3 Pt负载量对Pt/H-MoO_x催化加氢 4-NS性能的影响 | 第54-55页 |
4.3.4 Sn的加入对Pt-Sn/H-MoO_x催化加氢 4-NS性能的影响 | 第55-58页 |
4.3.5 对Pt-Sn/H-MoO_x材料催化加氢 4-NS机理的探 | 第58-61页 |
4.3.6 Pt-Sn/H-MoO_x催化剂在选择性加氢含取代基的芳硝基化合物中的应用 | 第61-62页 |
4.4 小结 | 第62-64页 |
第五章 金属氧化物修饰的Pt/H-MoO_x催化肉桂醛选择性加氢 | 第64-72页 |
5.1 引言 | 第64-65页 |
5.2 实验部分 | 第65页 |
5.3 结果与讨论 | 第65-70页 |
5.3.1 催化剂的表征 | 第65-68页 |
5.3.2 催化剂在肉桂醛选择性加氢中应用 | 第68-70页 |
5.4 小结 | 第70-72页 |
全文总结 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-84页 |
在学期间发表论文清单 | 第84-85页 |
致谢 | 第85页 |