| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第10-13页 |
| 1.3 论文内容与结构安排 | 第13-16页 |
| 第2章 Ga As HBT基本理论及器件建模 | 第16-32页 |
| 2.1 GaAs HBT选择的理论依据 | 第16-22页 |
| 2.1.1 材料体系的选择 | 第16-17页 |
| 2.1.2 器件类型的选择 | 第17-19页 |
| 2.1.3 GaAs HBT的工作原理 | 第19-22页 |
| 2.3 GaAs HBT模型、工艺及PDK | 第22-31页 |
| 2.3.1 基于物理、电磁学理论的模型 | 第22页 |
| 2.3.2 工程应用模型 | 第22-27页 |
| 2.3.3 GaAs HBT工艺及设计套件（PDK）的建立 | 第27-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 Ga As HBT功率放大器的线性化技术研究 | 第32-44页 |
| 3.1 GaAs HBT功率放大器的非线性分析 | 第32-35页 |
| 3.1.1 功率放大器非线性对收发机性能的影响 | 第32-33页 |
| 3.1.2 表征功率放大器线性度的指标参数 | 第33-35页 |
| 3.2 GaAs HBT功率放大器线性化技术的选取及设计分析 | 第35-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 基于TD-LTE的高线性功率放大器的设计研究 | 第44-76页 |
| 4.1 设计流程及指标参数 | 第44-48页 |
| 4.1.1 设计流程 | 第44-45页 |
| 4.1.2 参数指标 | 第45-46页 |
| 4.1.3 WIN HBT工艺线简介 | 第46-48页 |
| 4.2 偏置电路及稳定性设计 | 第48-60页 |
| 4.3 匹配电路及无源电感设计 | 第60-67页 |
| 4.4 功率放大器设计仿真 | 第67-74页 |
| 4.4.1 功率放大器原理图仿真 | 第67-70页 |
| 4.4.2 功率放大器版图设计 | 第70-72页 |
| 4.4.3 功率放大器原理图版图联合仿真 | 第72-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-76页 |
| 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 攻读硕士学位期间所申请专利目录 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
