| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-24页 |
| 1.1 紫外光电探测器的介绍 | 第18-20页 |
| 1.2 国内外SiC基PIN型紫外探测器的研究现状 | 第20-22页 |
| 1.3 本文的工作及结构 | 第22-24页 |
| 第二章 4H-SiC材料的性质 | 第24-36页 |
| 2.1 4H-SiC材料的晶体结构 | 第24-25页 |
| 2.2 4H-SiC材料的能带结构 | 第25页 |
| 2.3 4H-SiC材料的生长技术及缺陷 | 第25-27页 |
| 2.4 4H-SiC材料的电学特性 | 第27-30页 |
| 2.4.1 载流子的浓度 | 第27-28页 |
| 2.4.2 载流子漂移速度和迁移率 | 第28-29页 |
| 2.4.3 电阻率 | 第29-30页 |
| 2.5 4H-SiC材料的光学特性 | 第30-34页 |
| 2.5.1 吸收系数 | 第30-32页 |
| 2.5.2 反射率、折射率和透射率 | 第32-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 4H-SiC PIN紫外探测器工作原理及器件结构设计 | 第36-46页 |
| 3.1 4H-SiC PIN紫外探测器工作原理 | 第36-37页 |
| 3.1.1 4H-SiC PN紫外探测器 | 第36页 |
| 3.1.2 4H-SiC PIN紫外探测器 | 第36-37页 |
| 3.2 4H-SiC PIN紫外探测器性能参数介绍 | 第37-43页 |
| 3.2.1 暗电流 | 第37-39页 |
| 3.2.2 光电流 | 第39-40页 |
| 3.2.3 量子效率和响应度 | 第40-42页 |
| 3.2.4 响应时间 | 第42页 |
| 3.2.5 噪声等效功率NEP和归一化探测率D* | 第42-43页 |
| 3.3 4H-SiC PIN紫外探测器的结构和材料参数设计 | 第43-45页 |
| 3.3.1 器件结构设计 | 第43-44页 |
| 3.3.2 材料参数设计 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 4H-SiC PIN型紫外探测器的仿真研究及分析 | 第46-64页 |
| 4.1 器件仿真软件及仿真流程介绍 | 第46-48页 |
| 4.1.1 Sentaurus软件介绍 | 第46页 |
| 4.1.2 仿真流程 | 第46-48页 |
| 4.1.3 仿真条件 | 第48页 |
| 4.2 电响应特性的研究 | 第48-50页 |
| 4.2.1 不同p层掺杂浓度下的光电流 | 第49页 |
| 4.2.2 不同p层厚度下的光电流 | 第49-50页 |
| 4.3 光谱响应特性的研究 | 第50-59页 |
| 4.3.1 光谱响应的建模 | 第50-54页 |
| 4.3.2 本征I层材料参数的影响 | 第54-57页 |
| 4.3.3 P层材料参数的影响 | 第57-59页 |
| 4.4 提高器件外量子效率的措施 | 第59-63页 |
| 4.4.1 减小器件正面电极的面积 | 第59-60页 |
| 4.4.2 淀积减反射薄膜 | 第60-61页 |
| 4.4.3 增加器件表面的粗糙度 | 第61-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 4H-SiC PIN型紫外探测器的制备及相关工艺研究 | 第64-78页 |
| 5.1 工艺流程及版图设计 | 第64-65页 |
| 5.1.1 器件工艺流程 | 第64页 |
| 5.1.2 器件版图设计 | 第64-65页 |
| 5.2 器件制备工艺 | 第65-71页 |
| 5.2.1 外延片的标准清洗 | 第65-66页 |
| 5.2.2 光刻和金属剥离 | 第66-67页 |
| 5.2.3 ICP干法刻蚀 | 第67-68页 |
| 5.2.4 高温热氧化 | 第68-70页 |
| 5.2.5 电极制备 | 第70-71页 |
| 5.3 p型欧姆接触的研究 | 第71-77页 |
| 5.3.1 欧姆接触的原理 | 第71-73页 |
| 5.3.2 欧姆接触的测试方法 | 第73-75页 |
| 5.3.3 欧姆接触实验 | 第75-77页 |
| 5.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第78-80页 |
| 6.1 工作总结 | 第78-79页 |
| 6.2 展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 作者简介 | 第86-87页 |
