基于LPCVD-SiNx介质的GaN基器件界面特性研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-28页 |
| 1.1 GaN基器件的研究背景 | 第18-23页 |
| 1.2 GaN基器件的研究意义 | 第23-27页 |
| 1.3 论文安排 | 第27-28页 |
| 第二章 GaN基器件仿真实验研究 | 第28-42页 |
| 2.1 GaN基器件的物理结构 | 第28-29页 |
| 2.2 GaN基器件的制备工艺 | 第29-33页 |
| 2.3 GaN基器件的工作原理 | 第33-36页 |
| 2.4 GaN基器件的C-V仿真 | 第36-39页 |
| 2.4.1 仿真方法 | 第36-37页 |
| 2.4.2 仿真结果 | 第37-39页 |
| 2.5 本章总结 | 第39-42页 |
| 第三章 GaN MIS结构界面特性研究 | 第42-74页 |
| 3.1 GaN MIS器件 | 第42-44页 |
| 3.2 频率崩塌法 | 第44-52页 |
| 3.2.1 基本原理 | 第44-48页 |
| 3.2.2 结果分析 | 第48-52页 |
| 3.3 电导法 | 第52-57页 |
| 3.3.1 基本原理 | 第52-55页 |
| 3.3.2 结果分析 | 第55-57页 |
| 3.4 Terman法 | 第57-68页 |
| 3.4.1 基本原理 | 第57-63页 |
| 3.4.2 结果分析 | 第63-66页 |
| 3.4.3 三种界面态提取方法比较 | 第66-68页 |
| 3.5 GaN MIS的I-V特性 | 第68-71页 |
| 3.6 本章总结 | 第71-74页 |
| 第四章 GaN MISHEMT器件界面特性研究 | 第74-90页 |
| 4.1 GaN MISHEMT器件 | 第74-75页 |
| 4.2 频率崩塌法 | 第75-80页 |
| 4.3 电导法 | 第80-85页 |
| 4.4 GaN MISHEMT的I-V特性 | 第85-87页 |
| 4.5 本章总结 | 第87-90页 |
| 第五章 总结与展望 | 第90-94页 |
| 参考文献 | 第94-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 作者简介 | 第101-102页 |
