| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 Ga_2O_3的晶体结构与性质 | 第10-12页 |
| 1.2.1 Ga_2O_3的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 Ga_2O_3的电学性质 | 第11-12页 |
| 1.2.3 Ga_2O_3的光学特性 | 第12页 |
| 1.2.4 Ga_2O_3的气敏性质 | 第12页 |
| 1.3 Ga_2O_3材料的应用 | 第12-14页 |
| 1.3.1 气敏传感器 | 第12-13页 |
| 1.3.2 发光二极管 | 第13-14页 |
| 1.3.3 紫外探测器 | 第14页 |
| 1.4 Ga_2O_3的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.5 本论文的研究目的与意义 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-20页 |
| 第二章 薄膜制备方法与表征技术 | 第20-32页 |
| 2.1 Ga_2O_3薄膜的制备方法简介 | 第20-22页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积法 (PLD) | 第20页 |
| 2.1.2 溶胶凝胶法 (sol-gel) | 第20-21页 |
| 2.1.3 化学气相沉积法 (CVD) | 第21页 |
| 2.1.4 分子束外延技术 (MBE) | 第21-22页 |
| 2.1.5 磁控溅射技术 (Magnetron sputtering) | 第22页 |
| 2.2 锌元素压片的制作 | 第22-24页 |
| 2.2.1 压片机的原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 锌元素的压片过程 | 第23-24页 |
| 2.3 氧化镓薄膜的退火装置介绍 | 第24-25页 |
| 2.4 Ga_2O_3薄膜的表征方法 | 第25-29页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第25-26页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第26-27页 |
| 2.4.3 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.4.4 X射线光电子能谱 | 第28页 |
| 2.4.5 紫外-可见吸收光谱测试 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 Ga_2O_3薄膜生长条件的研究 | 第32-39页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 实验 | 第32-33页 |
| 3.2.1 实验准备 | 第32页 |
| 3.2.2 薄膜制备的实验过程 | 第32-33页 |
| 3.3 薄膜的生长条件的探索 | 第33-36页 |
| 3.3.1 制备薄膜的溅射气压的研究 | 第33-34页 |
| 3.3.2 制备薄膜的生长温度的研究 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第四章 掺杂Ga_2O_3薄膜的制备与表征 | 第39-61页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 Zn掺杂Ga_2O_3薄膜的结构与性能 | 第39-49页 |
| 4.2.1 ZnO片样品的制备 | 第39页 |
| 4.2.2 Zn掺杂Ga_2O_3薄膜的制备 | 第39页 |
| 4.2.3 Zn掺杂Ga_2O_3薄膜的结构 | 第39-40页 |
| 4.2.4 薄膜样品的紫外吸收特性 | 第40-41页 |
| 4.2.5 薄膜样品的X射线光电子能谱分析 | 第41-44页 |
| 4.2.6 薄膜样品的电学特性 | 第44-49页 |
| 4.3 Mg掺杂Ga_2O_3薄膜的制备与表征 | 第49-55页 |
| 4.3.1 Mg掺杂Ga_2O_3薄膜的XRD图谱 | 第49-50页 |
| 4.3.2 Mg掺杂Ga_2O_3薄膜的表面形貌 | 第50-51页 |
| 4.3.3 Mg掺杂Ga_2O_3薄膜的电学性能 | 第51-55页 |
| 4.4 热处理对掺杂薄膜的影响 | 第55-57页 |
| 4.4.1 退火温度对掺杂薄膜结晶性的影响 | 第55-56页 |
| 4.4.2 热处理对掺杂薄膜光学性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-63页 |
| 硕士期间学术成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |