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硅—玻璃通道型标准漏孔制作及性能研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9页
第一章 绪论第16-27页
    1.1 前言第16页
    1.2 标准漏孔的概述和分类第16-19页
        1.2.1 标准漏孔的概述第16-17页
        1.2.2 标准漏孔的分类第17-19页
    1.3 标准漏孔的应用第19-22页
        1.3.1 标准漏孔校准检漏仪第19-20页
        1.3.2 标准漏孔校准四极质谱仪第20-21页
        1.3.3 标准漏孔的其他应用第21-22页
    1.4 标准漏孔的校准方法第22-25页
        1.4.1 四极质谱仪比较法第22-23页
        1.4.2 固定流导法第23-24页
        1.4.3 定压变容法第24页
        1.4.4 定容升压法第24-25页
    1.5 本文的研究内容及创新第25-26页
    1.6 本章小结第26-27页
第二章 标准漏孔制作方法分析第27-34页
    2.1 气体在微通道中的流动及流导计算第27-29页
        2.1.1 气体在微通道中的流动状态第27页
        2.1.2 气体在微通道中的流导计算第27-29页
    2.2 标准漏孔制作的研究现状第29-31页
        2.2.1 微孔型标准漏孔第29-30页
        2.2.2 烧结型标准漏孔第30页
        2.2.3 其他制作方法第30-31页
    2.3 标准漏孔制作方案以及漏孔的特点第31-33页
        2.3.1 制作方案的确定第31-32页
        2.3.2 硅-玻璃通道型标准漏孔的特点第32-33页
    2.4 本章小结第33-34页
第三章 硅-玻璃通道型标准漏孔的制备第34-49页
    3.1 实验材料及设备第34-37页
        3.1.1 实验材料第34-35页
        3.1.2 实验设备第35-37页
    3.2 制作过程第37-40页
        3.2.1 光刻胶图形的制备第38页
        3.2.2 图形的转移第38-39页
        3.2.3 沟槽的密封第39-40页
        3.2.4 漏孔元件的封装第40页
    3.3 硅-玻璃通道型标准漏孔的制作优势第40-43页
        3.3.1 干涉曝光技术的优势第40-41页
        3.3.2 反应离子刻蚀技术的优势第41-43页
        3.3.3 阳极键合技术的优势第43页
    3.4 制作工艺参数控制第43-46页
        3.4.1 通道制备尺寸的控制第43-44页
        3.4.2 反应离子刻蚀参数的控制第44-45页
        3.4.3 阳极键合参数的控制第45-46页
    3.5 通道制作结果及讨论第46-48页
    3.6 本章小结第48-49页
第四章 硅-玻璃通道型标准漏孔的性能测试第49-58页
    4.1 硅-玻璃通道型标准漏孔的测试原理第49-50页
    4.2 测量装置的介绍第50-55页
        4.2.1 抽气机组第51-52页
        4.2.2 供气系统第52页
        4.2.3 被测漏孔第52-53页
        4.2.4 差压测量系统第53-54页
        4.2.5 数据采集系统第54-55页
    4.3 硅-玻璃通道型标准漏孔的测试过程第55-57页
        4.3.1 装置气密性检测第55-56页
        4.3.2 测量室体积的测量第56页
        4.3.3 标准漏孔流导和漏率的测量第56-57页
    4.4 本章小结第57-58页
第五章 测量结果及分析第58-66页
    5.1 测量结果第58-62页
    5.2 分子流特性的验证第62-64页
    5.3 测量不确定度评定第64-65页
    5.4 本章小结第65-66页
第六章 总结与展望第66-68页
    6.1 研究工作总结第66-67页
    6.2 后期工作展望第67-68页
参考文献第68-72页
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况第72-73页

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