| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-14页 |
| ·研究背景 | 第11页 |
| ·硅基片上螺旋电感的研究现状 | 第11-12页 |
| ·论文的组织结构 | 第12-14页 |
| 2 RF-CMOS 片上螺旋电感 | 第14-27页 |
| ·片上螺旋电感的结构 | 第14-16页 |
| ·平面螺旋电感 | 第14-15页 |
| ·多层结构电感 | 第15-16页 |
| ·片上螺旋电感的性能参数 | 第16-18页 |
| ·频率特性 | 第16页 |
| ·电感值和电阻值 | 第16-17页 |
| ·品质因数Q | 第17-18页 |
| ·片上螺旋电感的损耗机制 | 第18-20页 |
| ·金属损耗 | 第18-19页 |
| ·衬底损耗 | 第19-20页 |
| ·片上螺旋电感的建模方法 | 第20-27页 |
| ·电磁场仿真 | 第20页 |
| ·等效电路模型 | 第20-27页 |
| ·分段的等效电路模型 | 第20-21页 |
| ·紧凑的集总模型 | 第21-27页 |
| 3 电磁场仿真 | 第27-37页 |
| ·电磁场相关理论知识 | 第27-29页 |
| ·Maxwell 方程 | 第27-28页 |
| ·边界条件 | 第28-29页 |
| ·有限元分析法 | 第29页 |
| ·片上螺旋电感的仿真方法 | 第29-35页 |
| ·片上螺旋电感的仿真结果 | 第35-37页 |
| 4 基于现有单π和双π拓扑结构的scalable 模型 | 第37-54页 |
| ·Scalable 模型的建立方法 | 第37-38页 |
| ·单πscalable 模型 | 第38-46页 |
| ·改进型单π拓扑结构 | 第38-39页 |
| ·单πscalable 方程 | 第39-43页 |
| ·单πscalable 模型的拟合结果 | 第43-46页 |
| ·双πscalable 模型 | 第46-54页 |
| ·双π拓扑结构 | 第46-47页 |
| ·双πscalable 方程 | 第47-50页 |
| ·双πscalable 模型的拟合结果 | 第50-54页 |
| 5 新的单π宽带模型 | 第54-61页 |
| ·单π模型的拓扑结构 | 第54-55页 |
| ·单π模型的参数提取方法 | 第55-57页 |
| ·单π模型的验证与比较 | 第57-61页 |
| 6 物理基双πscalable 模型 | 第61-95页 |
| ·Scalable 模型的双π拓扑结构 | 第61-62页 |
| ·电感的工艺参数 | 第62-63页 |
| ·电感的版图参数 | 第63-66页 |
| ·模型的scalable 方程 | 第66-74页 |
| ·Scalable 模型的建立流程 | 第74页 |
| ·Scalable 模型在仿真工具中的应用 | 第74-77页 |
| ·Scalable 模型的拟合结果 | 第77-93页 |
| ·Scalable 模型的改进与展望 | 第93-95页 |
| 7 总结及展望 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-103页 |
| 附录: 作者在读期间发表的学术论文、发明专利及参加的科研项目 | 第103-104页 |
| 发表的学术论文 | 第103页 |
| 参加的科研项目 | 第103-104页 |
| 详细摘要 | 第104-106页 |