| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-21页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·太阳能电池 | 第12-17页 |
| ·太阳能电池工作原理 | 第12-13页 |
| ·太阳能电池种类 | 第13-15页 |
| ·化合物薄膜太阳能电池结构 | 第15-16页 |
| ·CuInSe_2薄膜太阳能电池研究进展 | 第16页 |
| ·CuInS_2薄膜太阳能电池研究进展 | 第16-17页 |
| ·热电材料 | 第17-20页 |
| ·热电材料工作原理 | 第18页 |
| ·热电材料分类 | 第18页 |
| ·Cu_(2-x)Se薄膜材料研究进展 | 第18-19页 |
| ·Bi_2Se_3热电材料研究进展 | 第19-20页 |
| ·电沉积法 | 第20页 |
| ·本论文研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 实验部分 | 第21-24页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第21-22页 |
| ·实验试剂 | 第21页 |
| ·实验仪器 | 第21-22页 |
| ·实验步骤 | 第22-23页 |
| ·基片处理 | 第22页 |
| ·溶液配制 | 第22页 |
| ·薄膜沉积 | 第22-23页 |
| ·薄膜硫化或热处理 | 第23页 |
| ·样品分析 | 第23页 |
| ·实验测试仪器 | 第23-24页 |
| ·X射线衍射仪 | 第23页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第23页 |
| ·能谱仪 | 第23页 |
| ·分光光度计 | 第23-24页 |
| 第3章 一步电沉积法制备CuInSe_2光电薄膜及其表征 | 第24-38页 |
| ·电沉积条件对CuInSe_2薄膜成相的影响 | 第24-32页 |
| ·沉积电位对CuInSe_2薄膜成相的影响 | 第24-25页 |
| ·溶液pH对CuInSe_2薄膜成相的影响 | 第25-26页 |
| ·溶液温度对CuInSe_2薄膜成相的影响 | 第26-27页 |
| ·原料来源对CuInSe_2薄膜成相的影响 | 第27-28页 |
| ·沉积时间对CuInSe_2薄膜成相的影响 | 第28-29页 |
| ·络合剂种类对CuInSe_2薄膜成相的影响 | 第29-30页 |
| ·络合剂柠檬酸钠浓度对CuInSe_2薄膜成相的影响 | 第30-31页 |
| ·原料浓度配比对CuInSe_2薄膜成相的影响 | 第31-32页 |
| ·电沉积条件对CuInSe_2薄膜表面形貌的影响 | 第32-35页 |
| ·沉积电位对CuInSe_2薄膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| ·柠檬酸钠浓度对CuInSe_2薄膜表面形貌的影响 | 第33-34页 |
| ·溶液温度对CuInSe_2薄膜表面形貌的影响 | 第34页 |
| ·原料来源对CuInSe_2薄膜表面形貌的影响 | 第34-35页 |
| ·CuInSe_2薄膜成分分析 | 第35-36页 |
| ·CuInSe_2薄膜带隙估算 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 电沉积后硫化两步法制备CuInS_2光电薄膜及其表征 | 第38-53页 |
| ·实验工艺参数对CuInS_2薄膜成相的影响 | 第38-46页 |
| ·电沉积条件对CuInS_2前驱体薄膜成相的影响 | 第38-41页 |
| ·硫化热处理对CuInS_2薄膜成相的影响 | 第41-46页 |
| ·硫化热处理对CuInS_2薄膜表面形貌的影响 | 第46-49页 |
| ·在250℃下硫化9h得到的CuInS_2薄膜的表面形貌 | 第46-47页 |
| ·在300℃下硫化6h得到的CuInS_2薄膜的表面形貌 | 第47页 |
| ·在350℃下硫化6h得到的CuInS_2薄膜的表面形貌 | 第47页 |
| ·在400℃下硫化3h得到的CuInS_2薄膜的表面形貌 | 第47-48页 |
| ·在400℃下硫化6h得到的CuInS_2薄膜的表面形貌 | 第48页 |
| ·在400℃下硫化9h得到的CuInS_2薄膜的表面形貌 | 第48-49页 |
| ·CuInS_2薄膜成分分析 | 第49-51页 |
| ·CuInS_2前驱体薄膜成分分析 | 第49-50页 |
| ·CuInS_2前驱体薄膜在350℃下硫化6h后成分分析 | 第50-51页 |
| ·CuInS_2薄膜带隙估算 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 一步电沉积法制备Cu_(2-x)Se薄膜及其表征 | 第53-59页 |
| ·电沉积条件对Cu_(2-x)Se薄膜成相的影响 | 第53-55页 |
| ·沉积电位对Cu_(2-x)Se薄膜成相的影响 | 第53-54页 |
| ·溶液pH对Cu_(2-x)Se薄膜成相的影响 | 第54-55页 |
| ·电沉积条件对Cu_(2-x)Se薄膜表面形貌的影响 | 第55-57页 |
| ·沉积电位对Cu_(2-x)Se薄膜表面形貌的影响 | 第55-56页 |
| ·溶液pH对Cu_(2-x)Se薄膜表面形貌的影响 | 第56-57页 |
| ·Cu_(2-x)Se薄膜成分分析 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第6章 Bi_2O_3为铋源电沉积制备Bi_2Se_3热电薄膜及其表征 | 第59-72页 |
| ·实验工艺参数对Bi_2Se_3薄膜成相的影响 | 第59-67页 |
| ·电沉积条件对Bi_2Se_3薄膜成相的影响 | 第59-62页 |
| ·热处理条件对Bi_2Se_3薄膜成相的影响 | 第62-67页 |
| ·热处理条件对Bi_2Se_3薄膜表面形貌的影响 | 第67-69页 |
| ·在250℃下热处理3h得到的Bi_2Se_3薄膜的表面形貌 | 第67-68页 |
| ·在300℃下热处理1h得到的Bi_2Se_3薄膜的表面形貌 | 第68页 |
| ·在350℃下热处理2h得到的Bi_2Se_3薄膜的表面形貌 | 第68页 |
| ·在400℃下热处理1h得到的Bi_2Se_3薄膜的表面形貌 | 第68-69页 |
| ·Bi_2Se_3薄膜成分分析 | 第69-70页 |
| ·Bi_2Se_3薄膜带隙估算 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第7章 总结与展望 | 第72-74页 |
| ·论文总结 | 第72页 |
| ·展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表及科研情况 | 第82-83页 |
