| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·太阳能电池简介 | 第11-12页 |
| ·太阳能电池工作原理 | 第11页 |
| ·太阳能电池的分类 | 第11-12页 |
| ·铜铟(镓)硒薄膜简介 | 第12-14页 |
| ·铜铟(镓)硒薄膜电池研究现状 | 第12-13页 |
| ·铜铟(镓)硒薄膜制备方法 | 第13-14页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2能带计算方法 | 第14-18页 |
| ·第一性原理简介 | 第14-16页 |
| ·能带计算方法 | 第16-18页 |
| ·研究思路与主要内容 | 第18-19页 |
| 第2章 实验方法及设备 | 第19-23页 |
| ·实验试剂及设备 | 第19页 |
| ·实验内容与过程 | 第19-20页 |
| ·基片处理 | 第20页 |
| ·配置前驱体溶液 | 第20页 |
| ·旋涂制膜 | 第20页 |
| ·薄膜热处理 | 第20页 |
| ·测试仪器及计算软件 | 第20-23页 |
| ·X射线衍射仪 | 第20-21页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第21页 |
| ·可见光分光光度计 | 第21页 |
| ·四探针测试仪 | 第21页 |
| ·计算软件简介 | 第21-23页 |
| 第3章 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜的能带计算 | 第23-40页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的晶体结构及物理模型 | 第23页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的能带计算细节 | 第23-26页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的能带计算INCAR文件设置 | 第24-25页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的能带计算KPOINTS文件设置 | 第25页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的能带计算POSCAR文件设置 | 第25页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的能带计算POTCAR文件设置 | 第25-26页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的能带计算结果讨论 | 第26-39页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的ENCUT收敛测试结果分析 | 第26-27页 |
| ·KPOINTS收敛测试结果分析 | 第27-29页 |
| ·晶格常数a和c计算结果 | 第29-34页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2能带计算结果分析 | 第34-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 CuInSe_2薄膜的制备及表征 | 第40-52页 |
| ·CuInSe_2薄膜的制备 | 第40页 |
| ·实验结果分析及讨论 | 第40-51页 |
| ·不同反应时间对CuInSe_2薄膜的影响 | 第40-43页 |
| ·增加反应次数对CuInSe_2薄膜的影响 | 第43-45页 |
| ·CuInSe_2薄膜电性能测试及结果分析 | 第45-48页 |
| ·CuInSe_2薄膜成分分析 | 第48页 |
| ·CuInSe_2薄膜能带带隙测量及分析 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜的制备与表征 | 第52-68页 |
| ·旋涂-化学共还原法制备CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜 | 第52页 |
| ·实验结果分析 | 第52-67页 |
| ·不同反应时间制备CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜的XRD图谱 | 第52-57页 |
| ·不同反应温度下制备CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜的XRD图谱 | 第57-61页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜XRD图谱对比 | 第61-62页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜电性能测试分析 | 第62页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜样品形貌分析 | 第62-64页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜EDS成分分析 | 第64-65页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜吸光度及带隙测量分析 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第6章 总结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表及科研情况 | 第74页 |
