纳米光刻中叠栅莫尔条纹检焦技术研究
| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-34页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·光刻技术发展历程 | 第12-17页 |
| ·极紫外光刻 | 第13-14页 |
| ·纳米压印光刻 | 第14页 |
| ·定向自组装光刻 | 第14-15页 |
| ·无掩模光刻 | 第15-16页 |
| ·光刻技术小结 | 第16-17页 |
| ·光刻技术中特征尺寸一致性、焦深控制、检焦综述 | 第17-19页 |
| ·纳米检焦技术发展现状 | 第19-33页 |
| ·Canon公司检焦技术 | 第19-22页 |
| ·Nikon公司检焦技术 | 第22-25页 |
| ·ASML公司检焦技术 | 第25-28页 |
| ·其它类型检焦技术 | 第28-31页 |
| ·国内检焦技术发展综述 | 第31-32页 |
| ·检焦技术小结 | 第32-33页 |
| ·论文结构安排 | 第33-34页 |
| 第2章 叠栅莫尔条纹成像与检焦模型 | 第34-50页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·一维光栅衍射调制模型 | 第34-36页 |
| ·重叠光栅调制模型 | 第36-40页 |
| ·四通道检焦模型 | 第40-42页 |
| ·粗精结合的检焦方案 | 第42-49页 |
| ·粗检焦方案 | 第43-45页 |
| ·精检焦方案 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第3章 硅片倾斜与莫尔条纹分布研究 | 第50-63页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·位置变换与坐标系变换 | 第50-54页 |
| ·位置变换 | 第50-52页 |
| ·坐标系变换 | 第52-54页 |
| ·硅片倾斜离焦对物光栅标记成像的影响 | 第54-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 莫尔条纹相位解析与离焦量计算 | 第63-85页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·基于傅里叶变换的莫尔条纹相位解析 | 第63-74页 |
| ·相位解析基本原理 | 第63-65页 |
| ·条纹相位解析精度与误差分析 | 第65-74页 |
| ·离焦量计算 | 第74-84页 |
| ·垂直离焦量计算 | 第74-78页 |
| ·倾斜离焦量计算 | 第78-81页 |
| ·检焦光路成像倍率与离焦量检测 | 第81-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 第5章 扩大叠栅莫尔条纹检焦测量范围的方法研究 | 第85-98页 |
| ·引言 | 第85页 |
| ·扩大叠栅莫尔条纹检焦范围的光栅标记设计 | 第85-86页 |
| ·扩大检焦范围的原理 | 第86-89页 |
| ·仿真研究 | 第89-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 第6章 叠栅莫尔条纹检焦实验研究与分析 | 第98-115页 |
| ·引言 | 第98页 |
| ·实验装置 | 第98-102页 |
| ·实验装置设计 | 第98-99页 |
| ·实验装置装配和调试 | 第99页 |
| ·实验装置器件与参数 | 第99-102页 |
| ·粗精结合的检焦实验结果及数据分析 | 第102-108页 |
| ·粗检焦实验 | 第102-104页 |
| ·精检焦与硅片倾斜测量实验 | 第104-108页 |
| ·扩大测量范围的检焦实验结果及数据分析 | 第108-113页 |
| ·实验结果误差分析 | 第113-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 第7章 总结与展望 | 第115-117页 |
| ·总结 | 第115页 |
| ·论文创新点 | 第115-116页 |
| ·展望 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-125页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第125-127页 |
