CH掺Si/Ge辐射烧蚀特性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-17页 |
| ·惯性约束聚变基本过程 | 第8-11页 |
| ·研究掺杂烧蚀的意义 | 第11-12页 |
| ·掺杂烧蚀新进展 | 第12-14页 |
| ·论文工作主要内容 | 第14页 |
| 参考文献 | 第14-17页 |
| 第2章 ICF中的预热 | 第17-26页 |
| ·ICF中的预热现象 | 第17-18页 |
| ·掺杂元素与份额 | 第18-21页 |
| ·一维平面靶中的预热 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第3章 透射能流与预热的关系 | 第26-37页 |
| ·Multi-1D简介 | 第26-27页 |
| ·一维平面靶的透射能流 | 第27-33页 |
| ·能谱改造 | 第27-31页 |
| ·薄靶与厚靶状态对比 | 第31-33页 |
| ·不同掺杂方式下的透射能流 | 第33页 |
| ·透射能流与预热温度 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第4章 Si/Ge掺杂烧蚀对比 | 第37-49页 |
| ·Si、Ge不透明度对比 | 第37-38页 |
| ·神光-Ⅱ掺杂烧蚀实验 | 第38-42页 |
| ·靶及黑腔设计 | 第38-40页 |
| ·诊断设备及方法 | 第40页 |
| ·实验结果 | 第40-42页 |
| ·实验结果与模拟分析 | 第42-47页 |
| ·Multi-1D模拟 | 第42-43页 |
| ·结果分析 | 第43-45页 |
| ·不透明度修正 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第5章 辐射源特性对掺杂烧蚀的影响 | 第49-66页 |
| ·辐射源谱特性 | 第49-55页 |
| ·非平衡辐射源的构造 | 第49-53页 |
| ·M带X射线总量 | 第53-55页 |
| ·CH(Si)均匀混合 | 第55-58页 |
| ·CH(Si)混合不透明度 | 第56-57页 |
| ·CH(Si)混合状态方程 | 第57-58页 |
| ·辐射源特性对掺杂烧蚀的影响 | 第58-64页 |
| ·不同M带份额f_m下的烧蚀模拟 | 第59-60页 |
| ·不同辐射源温度下的烧蚀模拟 | 第60-62页 |
| ·不同掺杂份额下的烧蚀模拟 | 第62-63页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第6章 总结与展望 | 第66-69页 |
| ·工作总结 | 第66-67页 |
| ·展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附录 | 第70页 |
