| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| ·常规物理气相沉积薄膜制备技术(PVD) | 第9-12页 |
| ·热蒸发技术 | 第9-10页 |
| ·真空溅射镀膜 | 第10-11页 |
| ·离子辅助沉积 | 第11-12页 |
| ·离子镀及电弧离子镀技术 | 第12-15页 |
| ·大颗粒的去除 | 第15-20页 |
| ·大颗粒的产生原因 | 第15-16页 |
| ·大颗粒的去除 | 第16-19页 |
| ·磁过滤电弧离子镀 | 第19-20页 |
| ·本文主要研究内容 | 第20-21页 |
| 2 Ta_2O_5薄膜及薄膜表征技术 | 第21-31页 |
| ·Ta_2O_5薄膜及其常见制备技术 | 第21-23页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的物理制备技术 | 第22-23页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的化学制备技术 | 第23页 |
| ·薄膜的表征 | 第23-28页 |
| ·XRD | 第23-25页 |
| ·XPS | 第25页 |
| ·分光光度计 | 第25-26页 |
| ·椭偏仪 | 第26-28页 |
| ·Taylor Sur CCI2000非接触式表面测量仪 | 第28页 |
| ·电弧源制备Ta_2O_5薄膜 | 第28-31页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的制备 | 第28-29页 |
| ·退火处理 | 第29-31页 |
| 3 电磁场调整对电弧源工作稳定性的影响 | 第31-41页 |
| ·仅通入Ar气时电弧源的工作情况 | 第31-34页 |
| ·Ar流量为60sccm时电弧源的工作情况 | 第31-33页 |
| ·Ar流量为70sccm时电弧源的工作情况 | 第33-34页 |
| ·小结 | 第34页 |
| ·通入Ar和O_2混合气体时的工作情况 | 第34-35页 |
| ·磁场线圈对电弧源工作的影响 | 第35-41页 |
| ·偏移调整 | 第36-37页 |
| ·聚焦调整 | 第37-38页 |
| ·稳弧调整 | 第38-39页 |
| ·磁场的相互影响 | 第39页 |
| ·不同阴极靶电流情况下磁场的调整 | 第39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 4 电弧源制备Ta_2O_5薄膜的性能分析 | 第41-49页 |
| ·薄膜样品相结构分析 | 第41-42页 |
| ·薄膜样品化学计量比分析 | 第42-43页 |
| ·薄膜样品透过率分析 | 第43-44页 |
| ·薄膜样品折射率n分析 | 第44-46页 |
| ·薄膜样品消光系数k分析 | 第46页 |
| ·薄膜样品沉积速率分析 | 第46-47页 |
| ·薄膜样品表面粗糙度Ra分析 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 5 热处理后Ta_2O_5薄膜的特性分析 | 第49-57页 |
| ·热处理后薄膜样品化学计量比分析 | 第49-51页 |
| ·热处理后薄膜样品透过率分析 | 第51-53页 |
| ·热处理后薄膜样品折射率n分析 | 第53-54页 |
| ·热处理后薄膜样品消光系数k分析 | 第54-55页 |
| ·热处理后薄膜样品表面粗糙度Ra分析 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 6 结论 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第57页 |
| ·展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |