MEMS晶圆级封装工艺研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-19页 |
| ·MEMS概述 | 第8-10页 |
| ·MEMS圆片级封装 | 第10-12页 |
| ·MEMS封装技术简介 | 第10-11页 |
| ·MEMS圆片级封装的必要性 | 第11-12页 |
| ·MEMS圆片级封装的关键技术 | 第12页 |
| ·圆片键合技术 | 第12-15页 |
| ·阳极键合 | 第12-13页 |
| ·硅-硅直接键合 | 第13-14页 |
| ·玻璃浆料键合 | 第14页 |
| ·金属共晶键合 | 第14-15页 |
| ·热压键合 | 第15页 |
| ·TSV（硅通孔）技术的发展 | 第15-18页 |
| ·TSV技术简介 | 第15-16页 |
| ·TSV互连的关键技术 | 第16-18页 |
| ·本文主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 盖帽封装工艺流程设计 | 第19-34页 |
| ·光刻、刻蚀、除胶工艺简介 | 第19-22页 |
| ·光刻 | 第19-20页 |
| ·刻蚀 | 第20-21页 |
| ·除胶 | 第21-22页 |
| ·盖帽封装结构和工艺流程 | 第22-23页 |
| ·腔体刻蚀及深孔刻蚀 | 第23-26页 |
| ·腔体结构的制作 | 第23-25页 |
| ·深孔刻蚀 | 第25-26页 |
| ·圆片键合及硅片减薄 | 第26-31页 |
| ·圆片键合 | 第26-29页 |
| ·硅片减薄 | 第29-31页 |
| ·深孔电镀及电极制作 | 第31-33页 |
| ·深孔电镀 | 第31-32页 |
| ·电极制作 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 TSV 互连关键工艺优化 | 第34-47页 |
| ·深孔刻蚀工艺优化 | 第34-39页 |
| ·深反应离子刻蚀概述 | 第34-35页 |
| ·深反应离子刻蚀工艺优化 | 第35-39页 |
| ·深孔电镀工艺优化 | 第39-46页 |
| ·铜电镀工艺的机理 | 第39-41页 |
| ·深孔铜电镀工艺优化 | 第41-45页 |
| ·其他工艺问题及分析解决办法 | 第45-46页 |
| ·本章小节 | 第46-47页 |
| 第四章 等离子刻蚀和电极制作工艺优化 | 第47-63页 |
| ·等离子刻蚀工艺优化 | 第47-53页 |
| ·等离子刻蚀工艺概述 | 第47-48页 |
| ·功率对刻蚀结果的影响 | 第48-49页 |
| ·压力对刻蚀结果的影响 | 第49-50页 |
| ·气体流量对刻蚀结果的影响 | 第50-53页 |
| ·铝电极制作工艺优化 | 第53-58页 |
| ·铜腐蚀工艺优化 | 第53-55页 |
| ·铜-铝粘附性实验 | 第55-58页 |
| ·铝电极优化流程及测试结果 | 第58页 |
| ·金电极制作工艺优化 | 第58-62页 |
| ·金电极工艺异常分析 | 第58-60页 |
| ·工艺异常解决方案 | 第60-61页 |
| ·金电极优化流程及测试结果 | 第61-62页 |
| ·本章小节 | 第62-63页 |
| 第五章 测试与评价 | 第63-71页 |
| ·键合强度检测 | 第63-66页 |
| ·可靠性实验检验封装效果 | 第66-67页 |
| ·电极牢固性的检验 | 第66-67页 |
| ·密封性的检验 | 第67页 |
| ·封装对于器件性能的影响 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-72页 |
| ·全文总结 | 第71页 |
| ·对今后工作的展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
