| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-24页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·封装材料性能 | 第9-11页 |
| ·传统芯片粘接材料 | 第11-13页 |
| ·焊料合金 | 第11-12页 |
| ·导电环氧树脂 | 第12-13页 |
| ·纳米银焊膏 | 第13-15页 |
| ·银的电迁移效应 | 第15-18页 |
| ·纳米银粘接的热残余应力 | 第18-22页 |
| ·本文的工作及研究意义 | 第22-24页 |
| ·本文主要工作 | 第22页 |
| ·研究意义 | 第22-24页 |
| 第二章 烧结纳米银的电迁移试验研究 | 第24-43页 |
| ·烧结纳米银电迁移试验 | 第24-29页 |
| ·试样 | 第24-27页 |
| ·试验装置与测试系统 | 第27-29页 |
| ·试验方案 | 第29页 |
| ·温度对烧结纳米银电迁移速率的影响 | 第29-33页 |
| ·电场强度对烧结纳米银电迁移速率的影响 | 第33-34页 |
| ·失效时间半经验预测公式 | 第34-37页 |
| ·电极间基板表面观察与分析 | 第37-42页 |
| ·电迁移试验前后对比观察 | 第37-39页 |
| ·烧结纳米银电迁移的特征 | 第39-40页 |
| ·不同温度及不同电场强度下电极间基板表面变化 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 烧结纳米银的电迁移物理机制 | 第43-53页 |
| ·湿度主导下的低温电迁移理论机制 | 第43-44页 |
| ·高温干燥空气下电迁移的物理机制 | 第44-51页 |
| ·EM 分析 | 第44-47页 |
| ·E DS 分析 | 第47-49页 |
| ·纳米银电迁移过程物理机理 | 第49-51页 |
| ·讨论 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 氧气分压对烧结纳米银电迁移的影响 | 第53-64页 |
| ·氧分压对纳米银的电迁移影响试验 | 第53-57页 |
| ·试样及试验原理 | 第53页 |
| ·试验装置与测试系统 | 第53-56页 |
| ·试验方案 | 第56-57页 |
| ·不同氧分压对纳米银电迁移速率的影响 | 第57-62页 |
| ·不同氧分压时电极间表面对比观察试验 | 第57-59页 |
| ·电迁移试验结果与分析讨论 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 烧结纳米银芯片粘接中残余热弯曲研究 | 第64-80页 |
| ·烧结纳米银芯片粘接中残余热弯曲测量 | 第64-71页 |
| ·试样设计及制备 | 第64-65页 |
| ·试验装置与测试系统 | 第65-68页 |
| ·试验方案 | 第68页 |
| ·试验结果与分析讨论 | 第68-71页 |
| ·烧结纳米银芯片粘接中残余变形的有限元计算 | 第71-79页 |
| ·有限元模拟方案及材料参数设定 | 第71-73页 |
| ·残余弯曲曲率计算方法 | 第73页 |
| ·试验结果与讨论 | 第73-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第六章 温度循环试验对纳米银焊膏芯片粘接中残余热弯曲的影响 | 第80-98页 |
| ·温度循环对残余热弯曲曲率的影响 | 第80-87页 |
| ·试样 | 第80-81页 |
| ·试验设备 | 第81-82页 |
| ·试验方案 | 第82-83页 |
| ·试验结果与讨论 | 第83-87页 |
| ·有限元模拟温度循环试验 | 第87-92页 |
| ·有限元模型及计算相关参数的确定 | 第88-90页 |
| ·试验结果与讨论 | 第90-92页 |
| ·温度循环对粘接层及粘接界面微观结构的影响 | 第92-96页 |
| ·试验结果与讨论 | 第92-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 第七章 结论 | 第98-101页 |
| ·本文主要研究工作及结论 | 第98-99页 |
| ·本文创新点 | 第99-100页 |
| ·存在问题及未来展望 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-113页 |
| 发表论文和参与科研情况说明 | 第113-114页 |
| 附录I:主要符号说明 | 第114-116页 |
| 附录II:缩略语表 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117页 |