| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·硅基半导体纳米材料的研究意义 | 第7页 |
| ·半导体纳米材料简介 | 第7-8页 |
| ·锗材料的介绍及其纳米晶的研究现状 | 第8-10页 |
| ·锗和硅材料的简单介绍 | 第8-9页 |
| ·锗和硅纳米晶的研究现状 | 第9-10页 |
| ·本论文研究的主要内容和意义 | 第10-11页 |
| 第二章 锗纳米晶的制备方法、模拟及表征手段 | 第11-23页 |
| ·锗纳米晶的制备方法 | 第11-14页 |
| ·锗纳米晶的离子注入制备技术 | 第11-13页 |
| ·离子注入引起的损伤 | 第13页 |
| ·离子注入后续热退火处理 | 第13-14页 |
| ·锗纳米晶的晶化原理 | 第14页 |
| ·离子注入过程SRIM模拟手段 | 第14-18页 |
| ·纳米晶的表征手段 | 第18-23页 |
| ·选区电子衍射 | 第19-20页 |
| ·高分辨电子显微学 | 第20-22页 |
| ·电子能量损失谱 | 第22-23页 |
| 第三章 注入剂量对SiO_2基质包埋锗纳米晶微观结构的研究 | 第23-36页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·实验 | 第23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-34页 |
| ·锗纳米晶的尺寸分布 | 第23-28页 |
| ·锗纳米晶的微观缺陷 | 第28-34页 |
| ·小结 | 第34-36页 |
| 第四章 退火温度和退火时间对锗纳米晶微观结构的影响 | 第36-47页 |
| ·退火温度对包埋二氧化硅基质中锗纳米晶的影响 | 第36-38页 |
| ·退火时间对包埋二氧化硅基质中锗纳米晶的影响 | 第38-45页 |
| ·退火时间对锗纳米晶微观结构的影响 | 第39-41页 |
| ·退火时间对锗纳米晶缺陷分布的影响 | 第41-42页 |
| ·锗纳米晶的生长机理 | 第42-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 总结与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |