| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究背景和研究意义 | 第8-12页 |
| ·本文的主要工作内容 | 第12-14页 |
| 2 InAs/GaAs 应变自组装量子点的生长理论 | 第14-26页 |
| ·InAs/GaAs 应变自组织量子点 | 第14-16页 |
| ·MOCVD 系统简介 | 第16-22页 |
| ·材料表征设备和表征方法 | 第22-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3 不同Ⅴ/Ⅲ对 InAs 量子点的影响 | 第26-36页 |
| ·样品结构简介 | 第26-27页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ对单层 InAs QDs 的影响 | 第27-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 Ⅴ/Ⅲ=1000 条件下单层 InAs/GaAs 量子点的生长研究 | 第36-49页 |
| ·生长温度对 InAs 量子点的影响 | 第36-39页 |
| ·生长时间对 InAs 量子点的形貌影响 | 第39-42页 |
| ·生长后中断时间(GRI)时间对 InAs 量子点的形貌影响 | 第42-46页 |
| ·降温过程砷烷保护对 InAs 量子点形貌的影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 5 总结和展望 | 第49-51页 |
| ·全文总结 | 第49-50页 |
| ·研究展望 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 附录 1 攻读学位期间发表论文目录 | 第57页 |
