碲锌镉像素核辐射探测器原理及实验特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 引言 | 第9-17页 |
| ·半导体核辐射探测器及其需求背景 | 第9-11页 |
| ·CdZnTe 探测器的研究现状 | 第11-13页 |
| ·本文研究内容 | 第13-17页 |
| 2 CdZnTe 像素探测器 | 第17-41页 |
| ·CdZnTe 材料特性 | 第17-20页 |
| ·晶体结构 | 第17-18页 |
| ·能带结构 | 第18-20页 |
| ·探测器工作原理 | 第20-21页 |
| ·探测器内部物理过程 | 第21-37页 |
| ·电荷沉积 | 第22-25页 |
| ·电荷输运 | 第25-27页 |
| ·电荷的感生 | 第27-37页 |
| ·探测器的读出电路 | 第37-41页 |
| ·探测器的等效电路模型 | 第37-38页 |
| ·模拟信号处理单元 | 第38-40页 |
| ·像素阵列的读出电路 | 第40-41页 |
| 3 CdZnTe 像素探测器物理模型构建 | 第41-65页 |
| ·能量沉积与 MCNP 模拟 | 第41-50页 |
| ·权重场与权重势 | 第50-55页 |
| ·信号的收集 | 第55-62页 |
| ·空穴-电子对的产生 | 第55页 |
| ·电荷的俘获 | 第55-56页 |
| ·电荷的扩散 | 第56页 |
| ·电荷的感生 | 第56-60页 |
| ·电子噪声 | 第60-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-65页 |
| 4 CdZnTe 像素探测器特性描述及实验结果 | 第65-99页 |
| ·探测器的制备 | 第65-67页 |
| ·噪声测试 | 第67-72页 |
| ·漏电流与电容 | 第67-71页 |
| ·交叉耦合 | 第71-72页 |
| ·像素探测器的能量分辨率 | 第72-79页 |
| ·权重势分布的影响 | 第73-75页 |
| ·光子能量与探测器厚度 | 第75-79页 |
| ·电荷的共享与损失 | 第79-86页 |
| ·电荷的共享 | 第81-82页 |
| ·电荷的损失 | 第82-83页 |
| ·通过电荷共享补偿空间分辨 | 第83-86页 |
| ·像素尺寸的优化 | 第86-93页 |
| ·本征空间分辨 | 第86-87页 |
| ·电荷收集效率 | 第87-90页 |
| ·像素尺寸的综合优化 | 第90-93页 |
| ·高能辐照下探测器针孔成像特性 | 第93-99页 |
| 5 高通量辐照实验中的极化效应增强过程 | 第99-115页 |
| ·动态极化效应 | 第99-100页 |
| ·动态极化效应的增强 | 第100-107页 |
| ·实验与结果 | 第100-103页 |
| ·极化增强过程中的电场分布 | 第103-105页 |
| ·像素探测器中极化增强效应的讨论 | 第105-107页 |
| ·极化增强机理及数学模型 | 第107-115页 |
| ·引起电场失效的临界电荷 | 第107-109页 |
| ·堆积电荷在时间上的描述 | 第109-115页 |
| 6 总结 | 第115-121页 |
| 致谢 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-135页 |
| 附录 | 第135-136页 |
| 一、发表的学术论文 | 第135-136页 |
| 二、攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第136页 |
