| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 插图索引 | 第12-14页 |
| 附表索引 | 第14-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-40页 |
| ·分子电子学的发展历程 | 第15-16页 |
| ·分子器件的研究进展 | 第16-22页 |
| ·分子器件的实验研究 | 第16-17页 |
| ·分子器件的理论研究 | 第17-18页 |
| ·分子器件的新性质 | 第18-22页 |
| ·分子器件的主要研究对象 | 第22-25页 |
| ·有机小分子 | 第22页 |
| ·零维量子点（C60分子） | 第22页 |
| ·碳纳米管 | 第22-23页 |
| ·石墨烯及准一维石墨烯纳米带 | 第23-25页 |
| ·分子器件的第一性原理计算 | 第25-38页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似 | 第25-26页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第26-27页 |
| ·密度泛函理论 | 第27-30页 |
| ·格林函数方法 | 第30-32页 |
| ·分子器件输运性质计算 | 第32-36页 |
| ·第一性原理计算相关软件介绍 | 第36-38页 |
| ·本文的主要工作及意义 | 第38-40页 |
| 第2章 氮原子取代掺杂对扶手椅型石墨烯纳米带器件整流效应的影响 | 第40-48页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·理论模型与公式 | 第41-42页 |
| ·结果分析与讨论 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第3章 边缘氢化所诱导的锯齿型石墨烯纳米带器件的自旋过滤和整流行为 | 第48-56页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·理论模型与公式 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第4章 分子间相互作用诱导的整流行为和开关行为 | 第56-63页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·计算模型与计算公式 | 第57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第5章 氟化所诱导的锯齿型硼氮纳米带器件的半金属和负微分电阻行为 | 第63-73页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·器件模型和计算细节 | 第64-65页 |
| ·结果与讨论 | 第65-72页 |
| ·氟化体系的基态及热力学稳定性 | 第65-66页 |
| ·氟化体系的能带分析及磁学性质 | 第66-69页 |
| ·氟原子浓度对氟化体系电子性质的影响 | 第69-70页 |
| ·基于氟化体系的自旋电子器件 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第6章 锰卟啉分子自旋电子器件磁开关效应的理论研究 | 第73-81页 |
| ·引言 | 第73-74页 |
| ·模型和计算公式 | 第74-75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-79页 |
| ·锰卟啉自旋电子器件的伏安特性分析 | 第75-76页 |
| ·锰卟啉自旋电子器件零偏压输运谱分析 | 第76-77页 |
| ·自旋过滤效应和磁致电阻效应分析 | 第77-78页 |
| ·负微分电阻效应分析 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第7章 磁序列排布对碳纳米管自旋电子器件磁致电阻效应的影响 | 第81-90页 |
| ·引言 | 第81-82页 |
| ·模型和计算公式 | 第82-83页 |
| ·结果与讨论 | 第83-88页 |
| ·磁序列排布对器件磁致电阻率的影响 | 第83页 |
| ·零偏压输运谱分析 | 第83-84页 |
| ·前线分子轨道的分析与讨论 | 第84-86页 |
| ·自旋电子器件零偏压 PDOS 和 LDOS 的分析与讨论 | 第86-88页 |
| ·本章小结 | 第88-90页 |
| 结论与展望 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-108页 |
| 附录 A 攻读学位期间发表的论文及参与的科研项目 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
