| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| ·AlGaN/GaN HFET 概述 | 第13-17页 |
| ·GaN 材料特性 | 第13-15页 |
| ·AlGaN/GaN HFET 的应用 | 第15-17页 |
| ·AlGaN/GaN HFET 发展现状 | 第17-23页 |
| ·增强型 AlGaN/GaN HFET 的发展 | 第18-22页 |
| ·国内外研究现状 | 第22-23页 |
| ·本论文的主要工作及创新 | 第23-27页 |
| ·立题依据 | 第23-25页 |
| ·主要工作与创新 | 第25-27页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HFET 的极化模型 | 第27-46页 |
| ·极化机理 | 第27-33页 |
| ·自发极化机理 | 第27-29页 |
| ·压电极化机理 | 第29-33页 |
| ·AlGaN/GaN HFET 的极化模型 | 第33-38页 |
| ·压电极化模型 | 第33-35页 |
| ·自发极化及 AlGaN/GaN 相关参数 | 第35-37页 |
| ·旋转后极化电荷计算 | 第37-38页 |
| ·2DEG 产生机理与解析模型 | 第38-45页 |
| ·2DEG 产生机理 | 第38-40页 |
| ·肖特基势垒表面钉扎 | 第40-41页 |
| ·2DEG 的求解 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 单异质结 HFET 电荷控制模型与新结构 | 第46-63页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·单异质结电荷控制模型 | 第47-53页 |
| ·单异质结电荷控制机理 | 第47-48页 |
| ·临界厚度与弛豫因子 | 第48-50页 |
| ·阈值电压 CCM | 第50-53页 |
| ·结果讨论与分析 | 第53页 |
| ·复合阳极 AlGaN/GaN 器件 | 第53-58页 |
| ·器件的工作机理 | 第54页 |
| ·器件导通模型 | 第54-56页 |
| ·结果分析与讨论 | 第56-58页 |
| ·围栅极异质结晶体管 | 第58-62页 |
| ·基本原理 | 第59-60页 |
| ·仿真结果分析与讨论 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 双异质结 HFET 电荷控制模型与新结构 | 第63-84页 |
| ·无掺杂势垒层双异质结电荷控制模型 | 第63-68页 |
| ·电荷控制模型的基本假设 | 第63-64页 |
| ·电荷控制模型的建立 | 第64-65页 |
| ·无掺杂势垒层双异质结结果与讨论 | 第65-68页 |
| ·掺杂型势垒层双异质结电荷控制模型 | 第68-74页 |
| ·电荷控制模型的建立 | 第68-70页 |
| ·电荷控制模型结果分析与讨论 | 第70-71页 |
| ·新型氟离子注入势垒层 HFET | 第71-74页 |
| ·铁电型势垒层双异质结 HFET | 第74-80页 |
| ·电荷控制模型的建立 | 第74-76页 |
| ·计算结果的分析与讨论 | 第76-78页 |
| ·器件的制备工艺 | 第78页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第78-80页 |
| ·多异质结型 GaN 功率晶体管电荷控制模型 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第五章 增强型相关异质结器件 | 第84-102页 |
| ·低导通功耗异质结器件 | 第84-92页 |
| ·低导通功耗二极管 | 第84-85页 |
| ·器件结构工作的基本原理 | 第85-87页 |
| ·结果与讨论 | 第87-92页 |
| ·MIS-HFET 短沟道效应研究 | 第92-97页 |
| ·AlGaN/GaN HFET 短沟道特性 | 第92-93页 |
| ·短沟道理论与模型 | 第93-96页 |
| ·正反向工作特性分析 | 第96-97页 |
| ·NMOS 控制 AlGaN/GaN HFET 混合集成器件 | 第97-101页 |
| ·器件基本结构与工作原理 | 第97-98页 |
| ·仿真结果分析与讨论 | 第98-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 结论与展望 | 第102-105页 |
| ·结论 | 第102-104页 |
| ·下一步工作 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-118页 |
| 附录 | 第118-123页 |
| 博士在学期间的研究成果 | 第123-125页 |