| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-28页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第12-17页 |
| ·研究现状及趋势 | 第17-26页 |
| ·图形转移理论研究现状 | 第17-18页 |
| ·大气 CO2 探测仪用全息光栅研究现状 | 第18-22页 |
| ·宽波段全息光栅研究现状 | 第22-26页 |
| ·主要研究内容和结构安排 | 第26-28页 |
| 第2章 全息光栅制作技术基础 | 第28-44页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·全息光栅掩模制作原理 | 第28-34页 |
| ·匀胶技术及其设备 | 第29-30页 |
| ·全息光栅曝光系统 | 第30-34页 |
| ·离子束刻蚀原理及工艺 | 第34-37页 |
| ·光刻胶光栅掩模的灰化 | 第34-35页 |
| ·光刻胶光栅掩模的离子束刻蚀图形转移 | 第35-36页 |
| ·光刻胶光栅掩模的等离子体刻蚀图形转移 | 第36-37页 |
| ·光刻胶掩模指标及图形转移效果检测 | 第37-42页 |
| ·光刻胶光栅掩模指标检测 | 第38-39页 |
| ·图形转移效果检测 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第3章 全息光栅图形转移理论模型 | 第44-66页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·理论模型 | 第45-49页 |
| ·特征曲线方程 | 第45-48页 |
| ·数值模拟程序 | 第48-49页 |
| ·图形转移数值模拟算例 | 第49-57页 |
| ·闪耀槽形光栅的图形转移算例 | 第49-51页 |
| ·类矩形槽光栅的图形转移算例 | 第51-57页 |
| ·理论模型的工艺修正 | 第57-63页 |
| ·离子束刻蚀截止时间 | 第57-60页 |
| ·刻蚀速率比 | 第60-63页 |
| ·总结 | 第63-66页 |
| 第4章 可见-近红外 SiC 基底全息光栅研制 | 第66-112页 |
| ·引言 | 第66-67页 |
| ·可见-近红外 SiC 基底全息光栅设计 | 第67-76页 |
| ·技术指标及设计要求 | 第67-69页 |
| ·设计结果 | 第69-76页 |
| ·可见-近红外光栅基底选择及处理 | 第76-87页 |
| ·典型光栅基底材料 | 第76-77页 |
| ·SiC 基底特性 | 第77-78页 |
| ·SiC 基底改性及缺陷控制 | 第78-85页 |
| ·SiC 基底轻量化处理 | 第85-87页 |
| ·光刻胶掩模制备 | 第87-88页 |
| ·SiC 基底光栅图形转移工艺 | 第88-103页 |
| ·SiC 基底光栅等离子体刻蚀 | 第89-92页 |
| ·SiC 基底光栅刻槽抛光技术 | 第92-100页 |
| ·多步循环工艺刻蚀 SiC 基底光栅 | 第100-103页 |
| ·结果与讨论 | 第103-110页 |
| ·多步循环工艺及刻蚀-抛光两步衔接工艺实验结果对比 | 第103-106页 |
| ·正样 SiC 基底光栅多步循环工艺图形转移结果 | 第106-110页 |
| ·总结 | 第110-112页 |
| 第5章 宽波段全息光栅设计方法及工艺 | 第112-128页 |
| ·引言 | 第112页 |
| ·宽波段全息光栅槽形参数分段设计方法 | 第112-117页 |
| ·设计原理 | 第113-114页 |
| ·设计结果及讨论 | 第114-117页 |
| ·宽波段全息光栅掩模设计及制作 | 第117-122页 |
| ·优化结果 4 所需全息光栅掩模及反应离子束刻蚀参数 | 第118-120页 |
| ·优化结果 7 所需全息光栅掩模及反应离子束刻蚀参数 | 第120-122页 |
| ·宽波段全息光栅的反应离子束刻蚀图形转移 | 第122-126页 |
| ·优化结果 4 的图形转移 | 第122-124页 |
| ·优化结果 7 的图形转移 | 第124-126页 |
| ·结果及讨论 | 第126-127页 |
| ·总结 | 第127-128页 |
| 第6章 总结与展望 | 第128-132页 |
| ·论文工作总结 | 第128-130页 |
| ·展望 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-142页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第142-144页 |
| 指导教师及作者简介 | 第144-146页 |
| 致谢 | 第146页 |
