| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| ·石墨烯概述 | 第7-9页 |
| ·石墨烯电子结构与能带 | 第9-11页 |
| ·谷极化研究背景 | 第11-14页 |
| ·本论文基本框架 | 第14-15页 |
| 2 理论方法 | 第15-19页 |
| ·紧束缚近似 | 第15-16页 |
| ·格林函数方法 | 第16-19页 |
| 3 含有线缺陷石墨烯谷极化电子输运计算方法 | 第19-26页 |
| ·理论模型 | 第19-21页 |
| ·计算方法 | 第21-26页 |
| 4 石墨烯中谷极化调控研究 | 第26-38页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·理论模型 | 第27-29页 |
| ·计算结果及讨论 | 第29-37页 |
| ·单条线缺陷 | 第29-30页 |
| ·两条线缺陷 | 第30-34页 |
| ·多条线缺陷 | 第34-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 5 总结和展望 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第45页 |