| Acknowledgements | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 1 GENERAL INTRODUCTION | 第14-27页 |
| ·MOTIVATION OF THE WORK | 第14-18页 |
| ·PIC FABRICATION TECHNIOUES | 第18-24页 |
| ·Hybrid Integration | 第19-21页 |
| ·Monolithic Integration | 第21-24页 |
| ·PROJECT DESCRIPTION | 第24-27页 |
| 2 THEORY OF ENERGY BAND STRUCTURE AND INTERACTION OF LIGHT WITHSEMICONDUCTORS | 第27-45页 |
| ·INTRODUCTION | 第27页 |
| ·ENERGY BAND STRUCTURES IN SEMICONDUCTORS | 第27-30页 |
| ·THE QUANTUM WELL | 第30-31页 |
| ·CHARGE CARRIERS RECOMBINATION | 第31-33页 |
| ·STRAIN AND STRESS | 第33-39页 |
| ·Strain | 第34页 |
| ·Stress | 第34-35页 |
| ·Effect of Strain on the Band Strtucture of a Crvstal | 第35-37页 |
| ·Example of an InGaAs/GaAs Ouantum Wel]Under Biaxial Strain | 第37-39页 |
| ·LASER INTERACTION WITH SEMICONDUCTORS | 第39-44页 |
| ·Photo-excitation and Surface Response | 第39-41页 |
| ·Laser Induced Desorption and Ablation | 第41-42页 |
| ·Laser Pulse Absorption and Heat Transfer Processes | 第42-44页 |
| ·SUMMERY | 第44-45页 |
| 3 QUANTUM WELL INTERMIXING TECHNIQUES | 第45-77页 |
| ·INTRODUCTION | 第45-46页 |
| ·DESCRIPTION OF THE QUANTUM WELL INTERMIXING PROCESS | 第46页 |
| ·DIFFUSION EQUATION AND CALCULATION OF ENERGY LEVELS | 第46-49页 |
| ·POINT DEFECTS INFLUENCE | 第49-52页 |
| ·POINT DEFECT DIFFUSION UNDER A STRAIN GRADIENT | 第52-54页 |
| ·REVIEW OF QUANTUM WELL INTERMIXING TECHNIQUES | 第54-55页 |
| ·IMPURITY INDUCED DISORDERING | 第55-56页 |
| ·IMPURITY-FREE VACANCY DISORDERING | 第56-60页 |
| ·DIELECTRIC SPUTTERING INDUCED INTERMIXING | 第60-62页 |
| ·LOW TEMPERATURE EPITAXIAL "DEFECT" LAYER | 第62-63页 |
| ·ION IMPLANTATION INDUCED QUANTUM WELL INTERMIXING | 第63-66页 |
| ·PLASMA INDUCED DEFECT DISORDERING | 第66-67页 |
| ·LASER INDUCED QUANTUM WELL INTERMIXING | 第67-74页 |
| ·Continuous Wavelength Laser Induced QWI | 第67-69页 |
| ·Pulsed Laser Induced Disordering | 第69-70页 |
| ·Ultra-Violet Laser Induced Quantum Well Intermixing | 第70-74页 |
| ·SUMMARY | 第74-77页 |
| 4 UV—LASER INDUCED QUANTUM WELL INTERMIXING AND PHOTONICINTEGRATED DEVICES | 第77-108页 |
| ·INTRODUCTION | 第77-78页 |
| ·EXCIMER LASERS | 第78-81页 |
| ·KrF Laser Characteristics | 第80-81页 |
| ·InGaAsP/InP Heterostructure | 第81-82页 |
| ·Irradiation Setup | 第82-87页 |
| ·ProMaster (KrF laser) | 第83页 |
| ·Masks | 第83-84页 |
| ·UV Illumination Optics | 第84-85页 |
| ·Image Projection Lens | 第85页 |
| ·Vision Systems | 第85页 |
| ·Environment | 第85页 |
| ·Process Control | 第85-86页 |
| ·ProMaster System Architecture | 第86页 |
| ·Laser | 第86页 |
| ·ProMaster BDU | 第86-87页 |
| ·Part Motion | 第87页 |
| ·Controls | 第87页 |
| ·CHARACTERIZATION TECHNIQUES | 第87-92页 |
| ·Principle of Photoluminescence | 第88-90页 |
| ·Recombination Mechanism | 第90-92页 |
| ·UV-LASER PROCESSING OF THE QW MATERIAL | 第92-93页 |
| ·ETCH RATE | 第93-94页 |
| ·PL MAPS | 第94页 |
| ·UV-LASET OF DEVICE FABRICATION | 第94-95页 |
| ·LOW LOSS PASSIVE WAVEGUIDE | 第95-102页 |
| ·Waveguide Structure | 第95-97页 |
| ·Fabrication Steps | 第97-98页 |
| ·Characterization and Testing Result | 第98-99页 |
| ·Measurement Setup | 第99-102页 |
| ·FABRY-PEROT LASER | 第102-106页 |
| ·Fabrication Steps | 第102-103页 |
| ·Measurement Setup | 第103-104页 |
| ·Characterisation | 第104-106页 |
| ·SUMMARY | 第106-108页 |
| 5 QWI by Sputtering SiO_2 and Al_2O_3 Methods Procedures, Experiments and Results | 第108-128页 |
| ·INTRODUCTION | 第108页 |
| ·SPUTTERING | 第108-116页 |
| ·How Sputtering Works | 第109页 |
| ·Sputtering PVD 75 System | 第109-110页 |
| ·RF Sputtering Procedure | 第110-113页 |
| ·Recipe Controlled Deposition Example | 第113-114页 |
| ·Target Changing | 第114-115页 |
| ·Sputtering Parameters | 第115-116页 |
| ·RAPID THERMAL ANNEALING PROCEDURE (RTA) | 第116-118页 |
| ·Thermal Stability | 第117-118页 |
| ·PHOTOLUMINESCENCE(PL) PLATFORM | 第118-119页 |
| ·InGaAsP/InP Heterostructure | 第119-120页 |
| ·Photoluminescence Map of the Wafer | 第119-120页 |
| ·ETCH RATE ANALYSIS | 第120页 |
| ·RTA-ONLY RESULTS | 第120-121页 |
| ·RTA and Sputtering SiO_2 | 第121-122页 |
| ·PL COMPARISON | 第122-123页 |
| ·Al_2O_3 Based QWI | 第123-126页 |
| ·Sputtering Procedure | 第123-124页 |
| ·Sputtering Parameter | 第124页 |
| ·RTA | 第124页 |
| ·Etch Rate Analysis | 第124-125页 |
| ·PL Maps | 第125-126页 |
| ·SUMMARY | 第126-128页 |
| 6 CONCLUSIONS AND FUTURE WORK | 第128-131页 |
| ·CONCLUSION | 第128-130页 |
| ·PERSPECTIVES AND FUTURE WORK | 第130-131页 |
| REFERENCES | 第131-143页 |
| AUTHOR'S BIOGRAPHY | 第143页 |
