摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
目录 | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第10-20页 |
§1.1 研究背景 | 第10-12页 |
§1.2 ZnO 材料概述 | 第12-17页 |
·ZnO 材料的物理性质 | 第12-13页 |
·ZnO 材料的发光特性 | 第13-15页 |
·ZnO 材料的掺杂技术 | 第15-17页 |
§1.3 n-ZnO/p-GaN 异质结 LED 研究进展 | 第17-18页 |
§1.4 本文主要内容及研究意义 | 第18-20页 |
第二章 实验方法及样品表征手段 | 第20-28页 |
§2.1 ZnO 材料的制备技术 | 第20-24页 |
·分子束外延(MBE) | 第20页 |
·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第20-21页 |
·原子层沉积(ALD) | 第21页 |
·磁控溅射(MS) | 第21-22页 |
·脉冲激光沉积(PLD) | 第22-23页 |
·水热合成法 | 第23-24页 |
§2.2 样品的表征手段 | 第24-28页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第24页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第24-25页 |
·X 射线衍射仪(XRD) | 第25-26页 |
·光致发光(PL) | 第26-27页 |
·电致发光(EL) | 第27-28页 |
第三章 ZnO材料的制备及性能表征 | 第28-40页 |
§3.1 ZnO 薄膜材料的生长及光致发光特性 | 第28-36页 |
·ZnO 薄膜材料的制备 | 第28-29页 |
·衬底温度对 ZnO 薄膜结构及发光特性的影响 | 第29-32页 |
·生长氧压对 ZnO 薄膜结构及发光特性的影响 | 第32-34页 |
·退火温度对 ZnO 薄膜结构及发光特性的影响 | 第34-36页 |
§3.2 ZnO 纳米棒的制备与表征 | 第36-39页 |
·ZnO 纳米棒的制备 | 第36-37页 |
·种子层对 ZnO 纳米棒的结构与发光的影响 | 第37-39页 |
§3.3 本章小结 | 第39-40页 |
第四章 n-ZnO/p-GaN异质结发光二极管 | 第40-52页 |
§4.1 引言 | 第40页 |
§4.2 n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管的制备 | 第40-46页 |
·p-GaN 衬底与性能表征 | 第40-43页 |
·n-ZnO/p-GaN 异质结 LED 的构造 | 第43-45页 |
·欧姆接触电极的制备与性能表征 | 第45-46页 |
§4.3 n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管的光电性能 | 第46-48页 |
·器件的结构表征 | 第46-47页 |
·器件的 I-V 特性及电致发光 | 第47-48页 |
§4.4 n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管的发光机制 | 第48-51页 |
·Anderson 能带模型 | 第48-49页 |
·n-ZnO/p-GaN 异质结 LED 的发光机制 | 第49-50页 |
·实现 ZnO 电致发光的有效途径 | 第50-51页 |
§4.5 本章小结 | 第51-52页 |
第五章 n-ZnO/p-GaN基PIN型异质结发光二极管 | 第52-78页 |
§5.1 n-ZnO/MgO/p-GaN 异质结发光二极管 | 第52-57页 |
§5.2 n-ZnO/AlN/p-GaN 异质结发光二极管 | 第57-60页 |
§5.3 n-ZnO/ZnS/p-GaN 异质结发光二极管 | 第60-64页 |
§5.4 n-ZnO/Ga_2O_3/p-GaN 异质结发光二极管 | 第64-72页 |
·n-ZnO/Ga_2O_3/p-GaN 异质结发光二极管 | 第65-68页 |
·Ga 氧化层对 n-ZnO:Ga/p-GaN 异质结 LED 光电性能的影响 | 第68-72页 |
§5.5 n-ZnO/i-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管 | 第72-76页 |
§5.6 本章小结 | 第76-78页 |
第六章 n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结发光二极管 | 第78-92页 |
§6.1 引言 | 第78-81页 |
§6.2 n-ZnO 纳米棒/p-GaN 异质结发光二极管 | 第81-87页 |
§6.3 n-ZnO 纳米棒/i-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管 | 第87-90页 |
§6.4 本章小结 | 第90-92页 |
全文总结及展望 | 第92-94页 |
参考文献 | 第94-114页 |
在校期间的研究成果 | 第114-116页 |
致谢 | 第116页 |