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n-ZnO/p-GaN异质结发光器件的制备及其光电性能研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
目录第8-10页
第一章 绪论第10-20页
 §1.1 研究背景第10-12页
 §1.2 ZnO 材料概述第12-17页
     ·ZnO 材料的物理性质第12-13页
     ·ZnO 材料的发光特性第13-15页
     ·ZnO 材料的掺杂技术第15-17页
 §1.3 n-ZnO/p-GaN 异质结 LED 研究进展第17-18页
 §1.4 本文主要内容及研究意义第18-20页
第二章 实验方法及样品表征手段第20-28页
 §2.1 ZnO 材料的制备技术第20-24页
     ·分子束外延(MBE)第20页
     ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)第20-21页
     ·原子层沉积(ALD)第21页
     ·磁控溅射(MS)第21-22页
     ·脉冲激光沉积(PLD)第22-23页
     ·水热合成法第23-24页
 §2.2 样品的表征手段第24-28页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第24页
     ·原子力显微镜(AFM)第24-25页
     ·X 射线衍射仪(XRD)第25-26页
     ·光致发光(PL)第26-27页
     ·电致发光(EL)第27-28页
第三章 ZnO材料的制备及性能表征第28-40页
 §3.1 ZnO 薄膜材料的生长及光致发光特性第28-36页
     ·ZnO 薄膜材料的制备第28-29页
     ·衬底温度对 ZnO 薄膜结构及发光特性的影响第29-32页
     ·生长氧压对 ZnO 薄膜结构及发光特性的影响第32-34页
     ·退火温度对 ZnO 薄膜结构及发光特性的影响第34-36页
 §3.2 ZnO 纳米棒的制备与表征第36-39页
     ·ZnO 纳米棒的制备第36-37页
     ·种子层对 ZnO 纳米棒的结构与发光的影响第37-39页
 §3.3 本章小结第39-40页
第四章 n-ZnO/p-GaN异质结发光二极管第40-52页
 §4.1 引言第40页
 §4.2 n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管的制备第40-46页
     ·p-GaN 衬底与性能表征第40-43页
     ·n-ZnO/p-GaN 异质结 LED 的构造第43-45页
     ·欧姆接触电极的制备与性能表征第45-46页
 §4.3 n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管的光电性能第46-48页
     ·器件的结构表征第46-47页
     ·器件的 I-V 特性及电致发光第47-48页
 §4.4 n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管的发光机制第48-51页
     ·Anderson 能带模型第48-49页
     ·n-ZnO/p-GaN 异质结 LED 的发光机制第49-50页
     ·实现 ZnO 电致发光的有效途径第50-51页
 §4.5 本章小结第51-52页
第五章 n-ZnO/p-GaN基PIN型异质结发光二极管第52-78页
 §5.1 n-ZnO/MgO/p-GaN 异质结发光二极管第52-57页
 §5.2 n-ZnO/AlN/p-GaN 异质结发光二极管第57-60页
 §5.3 n-ZnO/ZnS/p-GaN 异质结发光二极管第60-64页
 §5.4 n-ZnO/Ga_2O_3/p-GaN 异质结发光二极管第64-72页
     ·n-ZnO/Ga_2O_3/p-GaN 异质结发光二极管第65-68页
     ·Ga 氧化层对 n-ZnO:Ga/p-GaN 异质结 LED 光电性能的影响第68-72页
 §5.5 n-ZnO/i-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管第72-76页
 §5.6 本章小结第76-78页
第六章 n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结发光二极管第78-92页
 §6.1 引言第78-81页
 §6.2 n-ZnO 纳米棒/p-GaN 异质结发光二极管第81-87页
 §6.3 n-ZnO 纳米棒/i-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管第87-90页
 §6.4 本章小结第90-92页
全文总结及展望第92-94页
参考文献第94-114页
在校期间的研究成果第114-116页
致谢第116页

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